IGBT具有耐壓高、電流大、開關速度高和低飽和壓降等優良特點，在牽引電傳動、電能傳輸與變換、有源濾波等電力電子領域得到了廣泛的應用[1]。
    IGBT模塊的保護主要由IGBT驅動器來完成。驅動器是功率主電路與控制電路之間的接口，在充分發揮IGBT的性能、提高系統可靠性等方面發揮著重要作用[2]。高性能的驅動器可使IGBT工作在比較理想的開關狀態，如開關延時小、開關損耗低等[3]。本文提出的驅動器設計采用瑞士CONCEPT公司最新推出的2SC0108T模塊作為核心部件[4]，設計了前級驅動電路、硬件死區電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路，試驗結果證明該驅動器具有良好的驅動及保護能力。
1 2SC0108T簡介
    2SC0108T是一款高集成度低成本的超小型SCALE-2雙通道驅動器。接口兼容3.3 V～15 V邏輯電平信號，柵極驅動電壓為+15 V/-8 V，驅動電流為8 A，單通道輸出功率為1 W，可以驅動600 A/1 200 V或 450 A/1 700 V的常規IGBT模塊或并聯IGBT模塊，支持3級或多級拓撲。具有短路保護、過流保護和電源電壓監控等功能。延遲時間為80 ns±4 ns，抖動時間為± 2ns[5]。
    為了使2SC0108T在主回路中的性能達到最優，必須設計相應的外圍硬件電路，如驅動信號調理電路、IGBT功率驅動電路和故障信號調理電路，并集成到IGBT驅動器中。由于IGBT驅動信號頻率較高，容易對其他模擬信號和數字信號造成干擾，而且，驅動信號線寄生電容和寄生電感對驅動器的性能、可靠性有重要影響[6]，因此，傳統的安裝模式為驅動器和IGBT模塊獨立安裝，通過雙絞線連接以減少寄生電容、寄生電感的影響。本文從減小信號線寄生電容、寄生電感和電磁干擾(EMI)方面考慮，設計了一個直接安裝于IGBT模塊上的即插即用型IGBT驅動器。
    2SC0108T內部結構圖如圖1所示，主要由三個功能模塊構成，即邏輯驅動轉化接口LDI(Logic-to-Driver Interface)、電氣隔離模塊和智能柵極驅動IGD(Intelligent Gate Driver)。

    第一個功能模塊是由輔助電源和信號輸入兩部分組成。其中信號輸入部分主要將控制器的PWM信號進行整形放大，并根據需要進行控制，之后傳遞到信號變壓器，同時檢測從信號變壓器返回的故障信號，將故障信號處理后發送到故障輸出端；輔助電源的功能是將輸入的直流電壓經過單端反激式變換電路，轉換成兩路隔離電源供給輸出驅動放大器使用。
    第二個功能模塊是電氣隔離模塊，由兩個傳遞信號的脈沖變壓器和傳遞功率的電源變壓器組成。防止功率驅動電路中大電流、高電壓對一次側信號的干擾。
    第三個功能模塊是驅動信號輸出模塊，IGD主要對信號變壓器的信號進行解調和放大，對IGBT的短路和過流進行檢測，并進行故障存儲和短路保護。
2 IGBT驅動器設計
    本文設計的IGBT驅動器主要由2SC0108T模塊、前級驅動電路、后級功率驅動電路、故障信號調理電路構成，驅動器功能框圖如圖2所示。

    由控制器產生的驅動信號A和B，經過前級驅動電路調理后，分別送入2SC0108T驅動信號端INA和INB，INA和INB分別控制IGBT模塊的上橋臂和下橋臂。故障報警信號經信號調理電路輸出。由于需要檢測IGBT的過流、短路、二次側電壓等故障狀態，以增強驅動信號的觸發能力并改善IGBT的開關特性[7]，設計了后級功率驅動電路。  

2.2 前級驅動電路
    由于驅動器置于IGBT模塊上，控制器與驅動板之間的邏輯信號走線相對較長。為了提高信號的驅動能力和抗干擾能力，設計了前級驅動電路，如圖3所示。

    驅動信號先后經過了電平轉換、電平箝位、死區/互鎖電路和波形整形最終送入2SC0108T模塊。因2SC0108T為高電平驅動方式，所以此功能電路設計成輸入信號相對輸出信號為反邏輯，即控制器驅動信號為低電平時，加在IGBT上的柵壓為正向柵壓來觸發IGBT導通；反之，IGBT關斷。當控制器上電復位或出現故障時，驅動信號為高電平，從而關斷IGBT，提高了系統的可靠性和安全性。
    由Q101、Q102構成的電路網絡主要完成兩路信號的互鎖和死區時間的設定，兩路驅動信號的死區時間可以通過穩壓管D108、D109的穩壓值來調節，直接模式下(Rm=150 k?贅)，穩壓管D108、D109的穩壓值為3.3 V。硬件死區電路有效時，經試驗測得死區時間為5.08 μs，死區時間可以滿足實際工程中的需要。表1為互鎖電路信號作用表。
    由表1可知，2SC0108T工作在直接模式下，由于有互鎖電路，避免了IGBT上下直通的可能。

2.3 故障信號調理電路
    故障狀態輸出端SO1、SO2實時顯示IGBT模塊和供電電源的狀態，并通過故障報警信號調理電路上報控制器。
    因故障狀態輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路，外部需接上拉電阻。當故障（初級側欠壓、二次側欠壓、IGBT過流或短路）發生時，相應的SOx輸出低電平；否則，輸出高電平。如果電源電壓欠壓，封鎖驅動器并且兩個故障輸出端同時發出報警信號，直到電源電壓工作正常。當二次側發生故障（檢測到IGBT模塊短路或電源欠壓）時，相應的故障輸出端發出報警信號，在一個死區時間過后，相應的故障信號消失[9]。所有故障狀態均通過故障信號調理電路上報控制器。因故障狀態輸出端SO1、SO2為集電極開路門電路，故將兩個故障輸出端直接短接實現“或非”邏輯，作為故障報警信號公共端。當上述任何一種故障發生時，均作為有效故障信號上報控制器，并做相應處理，這樣既可以簡化電路硬件設計又可以提高驅動器的可靠性。經試驗測得驅動器的欠壓保護門限值為12.1 V，清除欠壓故障電壓門限值為12.8 V。
2.4 后級功率驅動電路
    IGBT后級驅動電路為驅動信號輸出通道和IGBT模塊之間的電路接口。二次側欠壓、IGBT過流或短路故障狀態的檢測都是由后級功率驅動電路實現，如圖4所示。

    VCE為IGBT集電極檢測端，為了檢測IGBT過流或短路，集電極檢測端須通過圖4所示的電路連接到IGBT的輔助集電極上。GH和GL分別為柵極開啟和關斷端，通過開啟、關斷柵極限流串并網絡連接到IGBT的柵極。柵極限流阻值對驅動信號的前后沿陡度和IGBT的開關特性有影響。當阻值增大時，可以抑制柵極脈沖前后沿陡度、防止寄生振蕩、減小開關dic/dt值、限制IGBT集電極尖峰電壓；當阻值減小時，可能會導致G、E之間發生振蕩以及IGBT集電極dic/dt值增加，引起IGBT集電極尖峰電壓，使IGBT損壞。該功能電路的作用是，若柵極限流電阻發生開路故障，此電阻網絡的阻值會增加，可以抑制驅動信號前后沿陡度、減小開關dic/dt值，可以保證即使柵極限流網絡發生開路故障時，還能夠觸發IGBT，從而提高柵極后級驅動電路的可靠性[10]。
    二極管D1、D2用于二次側欠壓保護。當柵極驅動信號電壓欠壓時，不能觸發IGBT導通，二極管因承受正向電壓而導通，集電極檢測端電壓升高到設定值時，封鎖相應的后級柵極驅動通道并通過故障輸出端發出報警信號。為了防止誤觸發，二極管漏電流必須小。因正常導通時柵極驅動電壓為+15 V，IGBT輔助集電極電壓相對較低，為防止二極管反向擊穿，其阻斷電壓應大于40 V。
    當柵極處于失控狀態、主電路突加電壓時，由于集電極-柵極、柵極-發射極存在寄生電容，集電極電勢的突然變化，就會有大小為C·du/dt的電流流過寄生電容(C為寄生電容容值)，使柵極電勢上升，誤觸發IGBT。為防止上述情況的發生，在GL和VE之間接一電阻Reg，為IGBT的柵極和發射極提供一個低阻抗回路，其阻值要求為22 kΩ或更大。
    REF端內部集成有可以提供150 μA的恒流源，參考電阻Rth的阻值通過如下公式進行計算：
    
    實際應用中，設計者可以根據IGBT模塊的過流倍數來選取合適的關斷門限值。
    CA1、CA2為響應時間電容，其作用是以電阻Rth端電壓為參考，通過與其串聯電阻的充電時間特性來確定響應時間。
    當觸發IGBT導通時，測試信號無效。而IGBT導通需經過一定的開通時間，如果沒有響應時間電容Ca，則在IGBT開通過程中，將導致比較器正極性端電壓高于Vth而誤報警。若電容選擇合適，在IGBT開通過程中，使電容充電時間大于開通時間即可避免上述情況的發生。通常情況下，不同額定電流值的IGBT模塊導通壓降不同。額定電流為450 A的IGBT的導通壓降一般情況為2 V，若IGBT工作中發生過流，其集電極電壓會上升，并且正比于電流值。過流故障發生前電容Ca的電壓為正常導通壓降，過流時電容兩端的電壓與時間的關系為：y=2e-t/RC+UCE(1-e-t/RC)。當響應時間電容為33 pF，電阻R為120 kΩ，Vth為5.85 V，過流導通壓降UCE為10 V時的MATLAB仿真曲線如圖5所示。

    實踐中可以通過選擇響應時間電容的容值，關斷門限值電壓Vth，IGBT過流倍數來計算圖5中t1的值：
    
    與傳統的IGBT驅動器相比，即插即用型驅動器采用了與IGBT模塊一體化的設計思想，減小了驅動信號線上寄生電容和寄生電感的影響，提高了驅動器的可靠性。本文基于2SC0108的即插即用型IGBT驅動器，通過對前級驅動電路、后級功率驅動電路及故障信號調理電路的設計，實現了多工作模式可選、多種故障狀態檢測及保護等功能。即插即用型IGBT驅動器的調試、試驗和工程應用都驗證了本驅動器設計的有效性和實用性。
參考文獻
[1] 周志敏，紀愛華.高效功率器件驅動與保護電路[M].北京：人民郵電出版社，2009.
[2] SCHWARZER U，RIK W，DONCKER D.Design and Implementation of a driver board for a high power and high frequency IGBT inverter[A].Power Electronics Specialists Conference，IEEE，2002.
[3] 黃先進，蔣曉春，葉斌，等.智能化IGBT驅動電路研究[J]. 電工技術學報，2005，20(4)：89-93.
[4] THALHEIM J，GARCIA O.Highly flexible and low-cost gate driver cores for voltage classes of up to 3300V[J]. Bodos′s Power Systems Magazine，2009(6)：26-27.
[5] HORNKAMP M，PAWEL S，GARCIA O.Latest generation IGBT gate drivers[J].Power Systems Design Europe Magazie，2009(10)：21-23.
[6] 徐延東，張舟云，徐國卿.一種用于大功率IGBT模塊的驅動電路[J].微特電機，2004(8)：29-35.
[7] GRBOVIC P J，GRUSON F，IDIR N，et al.Turn performance  of reverse blocking IGBT(RB IGBT) and optimization using advanced gate driver[J].Power Electronics，IEEE Transactions IEEE，2010(4)：970-980.
[8] ZHANG B，HUANG A Q，CHEN B.A novel IGBT gate driver to eliminate the dead-time effect[A].Industry Applications Conference，IEEE，2005.
[9] THALHEIM J，RUEDI H.Smart power chip turing[J].Bodos′s Power Systems Magazine，2007(5)：20-23.
[10] 潘星，劉會金.IGBT功率器件工作中存在的問題及解決方法[J].電力自動化設備，2004(9)：9-14.
[11] Using the NTC inside a Power Electronic Module.Infineon Technologies AG[EB/OL].www.infineon.com.2010.10.
[12] MAJUMDAR B，MUKHERJEE P，TALUKDAR F A，et al. IGBT gate drive circuit with in-built protection and immunity to transient fault[A].Industrial Technology IEEE International Conference，IEEE，2000.