在微波科技及技術(shù)研討會(huì)（MTTS）上，我參加了一場有關(guān)砷化鎵和CMOS用于RF電路設(shè)計(jì)的座談會(huì)。依我看來，GaAs陣營略占優(yōu)勢。但當(dāng)我在網(wǎng)絡(luò)上發(fā)表此一觀點(diǎn)的文章時(shí)，CMOS的支持者卻非常不高興，他們認(rèn)為我錯(cuò)誤地描述了RF CMOS的情況，并且質(zhì)問我為何如此偏袒那些傳統(tǒng)的“老”技術(shù)。

　　因此，我又重新采訪了許多認(rèn)同CMOS技術(shù)的人士，完成另一篇平衡報(bào)導(dǎo)。但老實(shí)說，在RF領(lǐng)域，我還是沒有完全被CMOS技術(shù)所說服。沒錯(cuò)，CMOS晶體管很便宜，使其適于系統(tǒng)級(jí)芯片的集成，并可用于構(gòu)建射頻組件，這些觀點(diǎn)都被座談會(huì)上的來賓所認(rèn)同；但對于將CMOS技術(shù)用來設(shè)計(jì)RF功率放大器（PA），與會(huì)者卻未必贊成。

　　CMOS放大器可能會(huì)非常地龐大，為了發(fā)送一個(gè)2GHz RF的載波，你需要一些設(shè)計(jì)，使其能夠驅(qū)動(dòng)一純凈的正弦波到天線。能夠雙向傳導(dǎo)電流的多源GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，能夠相當(dāng)有效地完成這一任務(wù)，其大量生產(chǎn)的成本不到70美分。所以，如果CMOS成本更高、上市時(shí)間更長、可擴(kuò)充性不佳，而且從未達(dá)到超過55%的效率，那么為何還要拼命掙扎于采用CMOS技術(shù)呢？

　　如果CMOS真的能夠取代以前的雙極電路功能，而我們卻偏偏不愿接受這個(gè)事實(shí)，那真的是愚蠢無比。但關(guān)鍵在于，要了解將CMOS技術(shù)應(yīng)用到模擬設(shè)計(jì)中，到底有什么好處。記得，在今年度的國際固態(tài)電路會(huì)議上，許多場研討會(huì)中都提到，重點(diǎn)在于過采樣（oversample），這里可以舉出兩個(gè)例子，而這兩個(gè)例子都根本改變了我們設(shè)計(jì)的方式。

　　一個(gè)是delta-sigma轉(zhuǎn)換，其中過采樣有效地修正了測量交流電信號(hào)振幅對時(shí)間變化的機(jī)制。平常，如果你進(jìn)行奈奎斯特采樣（兩倍于所要捕獲信號(hào)的最大頻率），你需要解決最大與最小信號(hào)振幅之間的巨大差距。

　　用256倍過采樣，一次取樣與下一個(gè)振幅之間對時(shí)間軸的差異會(huì)變得非常小。事實(shí)上，它小得足夠在一個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)被捕獲一位。將此觀念延伸到磁帶（或其它儲(chǔ)存設(shè)備），或透過開關(guān)電容播放（充電和放電交替），串行資料串流能以24位解讀交流電訊號(hào)。這種組件如今廣泛用于公路過磅站的音頻訊號(hào)記錄及播放，如果德州儀器認(rèn)同，還可用于精密測量（參照直流電壓設(shè)計(jì)）。這種情況下用CMOS實(shí)現(xiàn)很容易。

　　另外一個(gè)CMOS將雙極技術(shù)擠出市場的例子是磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道。較高儲(chǔ)存容量的關(guān)鍵是提升數(shù)據(jù)傳輸率。但位域間隔如此密集，以至于區(qū)分一位訊號(hào)的上升沿與另一個(gè)訊號(hào)的下降沿變得幾乎不可能。因此，采樣技術(shù)從雙極輸入電路測量振幅的模擬峰值檢測機(jī)制，轉(zhuǎn)移到捕獲大量信號(hào)轉(zhuǎn)換的數(shù)字過采樣機(jī)制，并依賴DSP來估計(jì)實(shí)際的資料串流。

　　當(dāng)Marvell Semiconductor公司開始談?wù)揅MOS讀取信道時(shí)曾遭到質(zhì)疑，因此最初該公司只是保守地揭露部分技術(shù)細(xì)節(jié)。但當(dāng)它成為領(lǐng)先的高性能2.5英寸硬盤讀取信道供貨商時(shí)，Marvell變得暢所欲言。它公布了采用8階Butterworth濾波器，部分原因是消除CMOS開關(guān)噪音，但表示該設(shè)計(jì)將再進(jìn)行擴(kuò)充。

　　也許這個(gè)教訓(xùn)對在MTTS上聲稱用0.13微米CMOS技術(shù)制造出RF PA的Axiom Microdevices公司及其它有類似項(xiàng)目的公司而言，只有當(dāng)事實(shí)真正能被認(rèn)可時(shí)，反對者才會(huì)閉口。