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東亞日報:新半導體戰爭

2011-09-23
來源:Csia

  半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代,因特爾等美國企業在動態隨機存取內存(D-RAM)市場占上風。但由于大型計算機的出現,需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代,日本企業名列前茅。而進入二十世紀九十年代后,高性能D-RAM成為了浪費品,反而小而貴的半導體深受歡迎。因此,大量生產PC用D-RAM的三星電子瞬間超越日本企業。那么走進智能手機、平板計算機時代的如今,在節省電力的移動式D-RAM競爭中誰會取得最終勝利?
  
  昨天在三星電子器興區華城舉辦的“20NANO級D-RAM及Flash量產”活動中再次驗證了三星電子是內存半導體的至尊。“一只老虎(三星電子)和三只小貓(Hynix、Elpida、Micron)”這一世界半導體生產結構沒有改變。今年5月,排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量產計劃”,進而讓全世界震驚。不過目前只生產出試用品,沒能動搖三星電子18年的根基。另外,排名世界第二的Hynix要從明年初開始量產。
  
  所謂20NANO是指半導體線路的線幅(電線間距)為20NANO米(1NANO米是10億分之一米)。線幅是頭發的4000分之一,真是令人難以想象。屬于尖端技術的10NANO級明年上市。過去,三星電子是以隨著美日企業大量生產兩國先開發的D-RAM和NANDFlash提高理論。不過2006年是首次推出NANOD-RAM,而且今年為止每年推出改善的產品,進而主導世界市場。是從“追隨型”轉為了“引領型”。
  
  半導體業界的習慣就是量產現代芯片之前開發下一代芯片。三星電子是開發了下下一代芯片,進而作為引領者占上風。今年由于D-RAM價格下降,日本和臺灣企業考慮減產時三星電子會長李建熙還鼓勵了攻擊性投資。昨天在活動現場,李會長表示:“要警戒半導體業界的強風。”圍繞P-RAM(IBM)、R-RAM(三星電子)、M-RAM(Hynix)等引領下一代的半導體,日后將有一場驚心動魄的戰爭。
  
  

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