碳化硅（SiC）功率器件領域的市場領先者科銳公司（Nasdaq: CREE）將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET™ MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統硅器件相比，可實現更高的能源效率。
功率模組通常將MOSFET和二極管等一系列分立功率開關器件封裝在一個獨立的集成封裝內，可應用于三相工業電源、通訊電源系統以及太陽能和風能系統中功率逆變器等高壓電力電子應用領域。在傳統MOSFET封裝技術中，長引線中的寄生電感會限制碳化硅MOSFET的轉換性能。通過使用科銳替代型裸芯片，電路設計人員能夠充分利用碳化硅技術轉換性能的優勢，有效地降低封裝中寄生電感的影響。
科銳副總裁兼功率和射頻（RF）產品研發部門總經理Cengiz Balkas表示：“隨著全面符合標準的碳化硅MOSFET作為未封裝芯片的運用，電源模組制造商能夠充分了解到碳化硅器件的性能優勢 - 實現更好的高溫操作條件，更高的開關頻率以及更低的開關損耗，并且能夠擺脫傳統分立器件塑料封裝所帶來的局限。電力電子模組中碳化硅功率器件的設計優勢在于能夠以更少的器件實現更高的電流和電壓，從而實現最大功率密度以及更高的可靠性。”
Balkas同時表示：“電源模組制造商可將科銳1200V MOSFET功率器件和肖特基二極管以芯片的形式相結合，創造一個專為超高功效電力電子系統而設計的‘全碳化硅’模組。這些新型模組能夠充分體現碳化硅材料優勢，可實現零反向恢復損耗、不受溫度影響的開關、低電磁干擾下高頻運行，以及更高電子雪崩能力，其開關頻率較傳統以硅為材料的解決方案可高出5倍至8倍。在更高開關頻率下可使用較小磁性和電容性的元件，從而可以縮減系統體積、降低重量和成本。”
科銳新型MOSFET系列功率器件目前已發布兩個型號CPMF-1200-S080B封裝尺寸為4.08 mm × 4.08 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為80 mΩ；CPMF-1200-S160B的封裝尺寸為3.1 mm × 3.1 mm，額定電壓/電流為1200 V / 20 A，標準導通電阻為160 mΩ。兩款器件的工作結溫均為-55 °C至+135 °C。
科銳兩款1200V MOSFET裸芯片已經發布并能夠量產使用，客戶可通過科銳以及科銳無線射頻（RF）代理商Semi Dice了解器件的供貨情況。科銳已發布產品說明以及包括對芯片鍵合等詳細的設計指導建議，以幫助電源模組制造商使用新器件并優化設計。同時，科銳十分愿意為客戶提供碳化硅MOSFET器件模型以幫助其進行初期模擬仿真及評估。如欲下載科銳模型，敬請訪問：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取樣品及進一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請訪問： www.cree.com/power。
在過去20多年中，科銳一直是碳化硅 MOSFET領域公認的領先者，擁有超過50項碳化硅MOSFET技術專利，同時還有多項專利正在申請中。
