9 月 9 日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備實現(xiàn)了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。
這一技術(shù)突破解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，有利于 12 英寸 SiC 晶圓的商業(yè)化。而面積更大的 SiC 晶圓意味著更低的晶邊損失和更大規(guī)模的一次處理能力，單位芯片成本能較 6 英寸晶圓降低 30%~40%。
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