應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出兩款采用單刀雙擲(SPDT)開關(guān)配置的新多通道差分開關(guān)集成電路(IC)，應(yīng)用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號(hào)等高頻信號(hào)，目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備。

6通道差分SPDT開關(guān)NCN3612B由于它的高帶寬，支持8 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。它的導(dǎo)通電容(C_ON)為2.1 pF(典型值)，導(dǎo)通電阻(RDS_ON)為8 Ω(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關(guān)NCN3411。NCN3411的導(dǎo)通電容為2 pF(典型值)，導(dǎo)通電阻(RDS_ON)為7.5Ω(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號(hào)路由。

安森美半導(dǎo)體接口及電源產(chǎn)品總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說：“NCN3612B和NCN3411固有低導(dǎo)通電容及低導(dǎo)通電阻，令其能提供更低的數(shù)據(jù)邊緣速率及更低的插入損耗。因此，這些器件能配合當(dāng)今系統(tǒng)設(shè)計(jì)指定的最新高速接口標(biāo)準(zhǔn)提供所需的信號(hào)完整性水平。”

NCN3612B的電源電壓范圍為3伏(V)至3.6 V，消耗的供電電流僅為250微安(µA)(典型值)；而NCN3411的電源電壓范圍為1.5 V至2.0 V，消耗的供電電流為200 µA。這些新器件的環(huán)境工作溫度范圍為−40 °C至+85 °C

封裝及價(jià)格

NCN3612B采用無鉛56引腳WQFN(5 mm x 11 mm x 0.75 mm)封裝，每2,000片批量的單價(jià)為1.30美元。NC3411采用無鉛42引腳WQFN(3.5 mm x 9 mm x 0.75 mm)封裝，每2,000片批量的單價(jià)為1.15美元。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)?a >汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問http://www.onsemi.cn。