飛兆半導(dǎo)體 20V 單 P 通道 PowerTrench® MOSFET 改善便攜式設(shè)備電池充電和負(fù)載開關(guān)
2012-08-09
幫助蜂窩手機(jī)及其他便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)人員改善電池充電和負(fù)載開關(guān)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)經(jīng)擴(kuò)大了其mosfets/powertrench.html"> P 通道 PowerTrench® MOSFET 產(chǎn)品線。
FDMA910PZ和FDME910PZT具備MicroFET™ MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2X 2 mm 和1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開關(guān)和線性模式應(yīng)用。 在20V 的額定電壓下，設(shè)備提供低通路電阻。為預(yù)防靜電放電(ESD) 失敗，F(xiàn)DMA910PZ 和FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護(hù)設(shè)備，這也將使最大額定IGSS 泄漏從10μA 降至1μA。
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特色及優(yōu)勢(shì)：
FDMA910PZ
· 最大RDS = 20 mΩ，需VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
· 最大RDS = 24 mΩ，需VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
· 最大RDS = 34 mΩ，需VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
· 低配置－配備HBM ESD 保護(hù)的MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為0.8 mm
級(jí)別> 2.8kV 標(biāo)準(zhǔn)
PDME910PZT
· 最大RDS= 24mΩ，需VGS = -4.5 V，ID = -8A
· 最大RDS= 31mΩ，需VGS = -2.5 V，ID = -7A
· 最大RDS= 45mΩ，需VGS = -1.8 V，ID = -6A
· 低配置：配備HBM ESD 保護(hù)的MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為0.55 mm
級(jí)別> 2kV 標(biāo)準(zhǔn)
FDMA910PZ 和FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為RoHS 兼容。兩種設(shè)備都提供低電壓安全操作，并適用于手機(jī)和便攜式設(shè)備。
飛兆半導(dǎo)體是移動(dòng)科技領(lǐng)導(dǎo)者，可提供大量模擬和電源IP 系列產(chǎn)品，并可定制以滿足特殊設(shè)計(jì)需求。飛兆半導(dǎo)體通過將領(lǐng)先的電路技術(shù)集成在微型高級(jí)包裝中，為便攜產(chǎn)品用戶提供重要的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)能夠減小設(shè)計(jì)的尺寸、成本和功耗。飛兆半導(dǎo)體的便攜IP 已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。
價(jià)格：訂購1,000個(gè)
FDMA910PZ： 每個(gè)0.36美元
FDME910PZT： 每個(gè)0.33美元
供貨:按請(qǐng)求提供樣品
交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)
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