富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，其面向LTE專向應(yīng)用而開發(fā)的LTE（FDD和TDD）優(yōu)化收發(fā)器---MB86L13A榮獲EDN China 2012年度創(chuàng)新獎(jiǎng)“通信與網(wǎng)絡(luò)類手機(jī)組”之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。此芯片在延續(xù)富士通半導(dǎo)體第一代多模多頻LTE射頻收發(fā)器的特性之外，可幫助現(xiàn)有的手機(jī)客戶在其2G/3G產(chǎn)品基礎(chǔ)上快速增加4G LTE功能，實(shí)現(xiàn)最快速的4G手機(jī)產(chǎn)品（同時(shí)支持2G/3G）研發(fā)。

    EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)源自美國(guó)硅谷，自2005年引入中國(guó)之后，已成為在中國(guó)微電子領(lǐng)域最具影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一。在2012年，共有71家公司的130款產(chǎn)品報(bào)名EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)。富士通半導(dǎo)體的4G LTE 射頻收發(fā)芯片MB86L13A芯片從眾多產(chǎn)品中脫穎而出，折桂于通信與網(wǎng)絡(luò)類的手機(jī)組，彰顯這款產(chǎn)品的創(chuàng)新性及先進(jìn)性。

    MB86L13A支持FDD-LTE和TDD-LTE兩種4G制式，可以幫助無(wú)線終端公司開發(fā)功能強(qiáng)大的LTE終端（手機(jī)，數(shù)據(jù)卡，平板電腦等）。該芯片采用富士通開拓的RFIC設(shè)計(jì)架構(gòu)，無(wú)需外部的低噪聲放大器（LNAs）和級(jí)間聲表面波（SAW）濾波器，可覆蓋700 MHz～2700 MHz的頻譜。其多個(gè)發(fā)送、接收和分級(jí)端口，可為漫游所需的映射端口和基帶提供極大的靈活性。該收發(fā)器使用公開標(biāo)準(zhǔn)MIPI DigRF D4G V1.0基帶接口，支持全球的FDD頻段1-21, 23-25和TDD頻段33-41。此外，MB86L13A還能支持高達(dá)20MHz的全部LTE帶寬。

    “非常高興能夠獲得2012年的EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng),也非常感謝EDN China對(duì)我們的認(rèn)可”富士通半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)副總裁鄭國(guó)威先生表示：“目前，受業(yè)界普遍看好的LTE將成為4G技術(shù)的主流。許多基帶供應(yīng)商都在為既有的2G/3G解決方案追加強(qiáng)有力的LTE能力，而MB86L13A可加快這些產(chǎn)品的上市時(shí)間，快速地在既有2G/3G方案上增補(bǔ)多頻的LTE功能。”