日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝。
　
　　通過推出SiA975DJ，Vishay將其第三代P溝道TrenchFET技術(shù)擴(kuò)展到雙路12V功率MOSFET，并且采用了適用于手持式電子設(shè)備的超小PowerPAK SC-70封裝。新器件可用于游戲機(jī)及手機(jī)、智能手機(jī)、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負(fù)載、PA和電池開關(guān)。
　
　　對(duì)于這些設(shè)備，SiA975DJ的更低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使器件能夠用比以往市場(chǎng)上采用超小封裝的雙路P溝道功率MOSFET更少的能量完成開關(guān)工作，從而延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著在峰值電流下的電壓降更低，能夠更好地防止IC和負(fù)載出現(xiàn)欠壓鎖定情況。這樣，設(shè)計(jì)者就可以使用電壓更低的電池。
　
　　SiA975DJ具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P溝道器件的柵源電壓等級(jí)為8V，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻為60mΩ和80mΩ。這些數(shù)值分別比SiA975DJ高32%和25%。
　
　　SiA975DJ的PowerPAK SC-7封裝占位只有2mm x 2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而導(dǎo)通電阻則相差無幾。MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。
　
　　新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
　
VISHAY簡(jiǎn)介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。