飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較低開(kāi)關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
　
　　FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)，具有較低的開(kāi)關(guān)噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。如果沒(méi)有這項(xiàng)專有技術(shù)功能，設(shè)計(jì)人員則需被迫選擇一個(gè)200V MOSFET器件，從而令到RDS(ON)增加一倍，導(dǎo)致總體效率降低。飛兆半導(dǎo)體的FDMS86200 還帶有經(jīng)改進(jìn)的體二極管，能夠通過(guò)減少損耗來(lái)提升開(kāi)關(guān)性能。
　
　　飛兆半導(dǎo)體公司提供最廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，讓設(shè)計(jì)人員能夠選擇多種技術(shù)，找到滿足應(yīng)用需求的合適MOSFET。飛兆半導(dǎo)體擁有獨(dú)特的功能、工藝和封裝創(chuàng)新及總體系統(tǒng)專有技術(shù)之組合，而其MOSFET產(chǎn)品系列具有廣泛的擊穿電壓范圍(20V-1000V)，以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠推動(dòng)電子制造商實(shí)現(xiàn)更出色的創(chuàng)新。
　
　　價(jià)格: 訂購(gòu)1,000個(gè)，單價(jià)為1.92美元
 　
　　供貨: 現(xiàn)提供樣品
　
　　交貨期 ：收到訂單后12至15周
　
編輯注：
　　產(chǎn)品的 PDF 格式數(shù)據(jù)表可從此網(wǎng)址獲取：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86200.pdf
　
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飛兆半導(dǎo)體公司簡(jiǎn)介
　
　　美國(guó)飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號(hào)：FCS) － 全球營(yíng)運(yùn)、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專為功率及便攜設(shè)計(jì)提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶開(kāi)發(fā)差異化的產(chǎn)品，并以我們?cè)诠β屎托盘?hào)路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識(shí)解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：www.fairchildsemi.com。