能把閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點集于一身嗎？恒憶(Numonyx)推出的全新系列相變存儲器(PCM)就可以做到。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。
    Numonyx亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理徐宏來先生，近日在北京向記者詳細介紹了該新產(chǎn)品系列——Omneo PCM P5Q及P8P。

徐宏來先生
恒憶(Numonyx)亞太區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)總經(jīng)理

革命性技術(shù)——PCM
    Numony Omneo PCM所用的材料是硫族化合物Ge2、Sb2、Te5(GST)，利用其生成的相變可逆變的物質(zhì)，存儲新的信息。即通過在非晶態(tài)與晶態(tài)之間變化實現(xiàn)存儲；通過測量GST電阻實現(xiàn)讀取；通過電流給GST加熱(焦爾效應(yīng))實現(xiàn)寫入。徐宏來先生強調(diào)了PCM的一個特性——位修改性：“假設(shè)改變一個8位的信息，從‘10111001’改成‘01011010’，位修改性能使得8位中只需要改5位。但是按照目前NOR的原理或邏輯，就不能只改變這5位，而需要先把8位都擦除，形成‘11111111’的狀態(tài)，然后再寫入‘01011010’，這是一個相當復雜的過程。可見位修改大大簡化了寫操作過程，速度更快，數(shù)據(jù)處理更簡單易行。PCM提供了有效空間應(yīng)用，帶來了革命性的結(jié)果。此外，PCM還有非易失性，能對數(shù)據(jù)進行保護，且其讀寫性、成本降低空間都有非常特別的地方。”
Omneo相變存儲器創(chuàng)新機遇
    “PCM帶來的變革會對整個半導體行業(yè)帶來革命性的影響，過兩年整個DRAM應(yīng)用可能會被PCM所取代。目前，DRAM所占有的產(chǎn)值是相當大的，一旦被PCM取代，整個存儲行業(yè)可能被重新改寫。”徐宏來先生自豪地說，“基于很好的材料和特性，Numonyx有幸成為第一個做相變存儲器的公司，今天我將向大家介紹Omneo PCM P5Q和P8P。”
    雖然PCM采用的是革命性的材料，但目前Numonyx推出的產(chǎn)品是漸變、過渡的產(chǎn)品，其目的在于讓市場更快地接受它，認識它與傳統(tǒng)的存儲器不一樣的地方，讓大家感受市場如何利用這個相變材料的特性生產(chǎn)出革命性產(chǎn)品。DDRx這個產(chǎn)品我們目前正在研發(fā)狀態(tài)，產(chǎn)品一旦推出，會對現(xiàn)在的DRAM應(yīng)用產(chǎn)生直接的影響。目前推出的P5Q和P8P是定位于嵌入式應(yīng)用的，具有嵌入式系統(tǒng)所需的2個性能：一是長遠制程升級能力，不管是NAND還是NOR，都是基于量存儲原理，在15 nm~12 nm就會產(chǎn)生瓶頸，而PCM不存在這個問題；二是可靠性，PCM結(jié)構(gòu)相當穩(wěn)定，不像NAND和NOR，在使用中氧化會使其急劇退化，所以只能做到10萬次擦寫的極限，而目前PCM已經(jīng)達到100萬次，隨著工藝的提升，這個可靠性會有更進一步的提高。
    徐宏來先生介紹：“兼容高速SPI接口的90 nm 128 MB P5Q瞄準高速增長的串行存儲器市場，支持并行NOR接口的90 nm 128 MB P8P 瞄準并行存儲器市場。預計到2012年，45 nm計劃會將現(xiàn)有市場總規(guī)模擴大到10億美元以上。”Numonyx Omneo相變存儲器給嵌入式應(yīng)用帶來的好處主要有：(1)簡單易用，既能像RAM一樣可修改字節(jié)，又避免了閃存的文件系統(tǒng)；(2)提升系統(tǒng)性能，不但能模仿閃存，寫速度是閃存的3倍，而且無擦除操作，寫速度是閃存的10倍；(3)耐寫能力是閃存的10倍，可以進行100萬次寫操作。
    最后，徐宏來先生給記者展示了一些Omneo PCM的應(yīng)用案例。例如在智能電表中，P5Q可以完成NOR、EEPROM和NVRAM三者相加的功能，并且需要的電池容量更小，這樣既環(huán)保又實惠，在數(shù)字機頂盒、電信、商業(yè)打印機等領(lǐng)域，P5Q和P8P也能發(fā)揮同樣的作用。