中國(guó)，2015年8月4日——意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的BiCMOS55 SiGe先進(jìn)技術(shù)被歐洲E3NETWORK項(xiàng)目組采用，用于開發(fā)適合下一代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的高效率、高容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)。

       移動(dòng)數(shù)據(jù)使用量的迅猛增長(zhǎng)，要求網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)支持更大的容量和更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。而如何加快移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)向先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)轉(zhuǎn)型的速度，對(duì)移動(dòng)回程線路（backhaul）基礎(chǔ)設(shè)施是一個(gè)新的挑戰(zhàn)，例如異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)（Heterogeneous Network）與云端無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)（RAN, Radio Access Network），其中更高頻段（例如E-band）可提供更大帶寬，以支持更快的數(shù)據(jù)傳輸通道。

       建設(shè)這些超高效率的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，設(shè)備廠商需要擁有高性能且低功耗、低成本的大規(guī)模集成電路電子元器件。E3NETWORK項(xiàng)目利用意法半導(dǎo)體的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工藝，開發(fā)出55納米的Ft高達(dá)320GHz的異質(zhì)雙極晶體管（HBT, Heterojunction Bipolar Transistors）。這項(xiàng)制造工藝準(zhǔn)許在一顆芯片上集成高頻模擬模塊與高性能、高容量的數(shù)字模塊，例如邏輯電路、AD/DA轉(zhuǎn)換器和存儲(chǔ)器。

       E3NETWORK項(xiàng)目采用意法半導(dǎo)體的BiCMOS55制造，目前正在研發(fā)一個(gè)集成化的E-band收發(fā)器，用于去程線路（Fronthaul）和回程線路基礎(chǔ)設(shè)施，以實(shí)現(xiàn)數(shù)字多層調(diào)制，及高度聚焦的筆形波束（Pencil-beam）傳輸，數(shù)據(jù)速率可高達(dá)10Gbps。筆形波束的屬性有助于提高回程線路和去程線路頻率再用率，同時(shí)在毫米波（millimeter-wave）間隔期間保護(hù)頻譜利用率（Spectrum efficiency）不受影響。

       作為歐盟第7框架計(jì)劃中的一個(gè)項(xiàng)目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）匯集了眾多企業(yè)，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德國(guó)）、阿爾卡特朗訊（意大利）、CEA（法國(guó)）、INXYS（西班牙）、OTE（希臘）、SiR（德國(guó)）、Sivers IMA（瑞典）和意法半導(dǎo)體（意大利）。

編者注：

       ST的BiCMOS技術(shù)將兩種不同制造工藝的優(yōu)勢(shì)整合在一顆芯片上，雙極晶體管提供高傳輸速率及高增益，這對(duì)于高頻模擬電路至關(guān)重要，而CMOS元器件在構(gòu)建簡(jiǎn)單、低功耗邏輯門方面的應(yīng)用表現(xiàn)也非常出色。

       通過(guò)在一顆芯片上集成射頻、模擬及數(shù)字電路，意法半導(dǎo)體BiCMOS55 SiGe器件不僅大幅降低了外圍設(shè)備的數(shù)量，亦能夠同時(shí)進(jìn)行功耗優(yōu)化。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

       意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費(fèi)電子，從家電、汽車，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂(lè)，意法半導(dǎo)體的微電子器件無(wú)所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。