中國，2015年9月14日——市場人氣頗高的意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠為服務(wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。

       新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導體經(jīng)過市場檢驗的條形布局（strip layout）和全新改進的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴散工藝（diffusion process），擁有接近理想的開關(guān)設(shè)計，包括超低的導通電阻和最低的關(guān)斷開關(guān)損耗，是特別為甚高頻功率轉(zhuǎn)換器（f>150 kHz）專門設(shè)計，為要求最嚴格的電源供應(yīng)器（PSU, Power Supply Unit）的理想選擇。

       硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓撲均適用，包括諧振拓撲（resonant topologies），例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的共性柵電荷量（Qg）極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)斷能量（Eoff）還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)斷開關(guān)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負載能效，進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。

       改進后的關(guān)斷波形（turn-off waveforms）可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效，降低噪聲，每周期回收再利用更多的電能，而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括：

· 極低的Qg（低至16 nC）

· 針對輕負載條件優(yōu)化電容曲線（capacitance profile）

· 針對軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

· 穩(wěn)健的本體二極管（body diode）

       MDmesh M2 EP系列瞄準需要高能效的電源應(yīng)用，提供多種封裝選擇（PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247），所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。

關(guān)于意法半導體

       意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導體公司，提供創(chuàng)新先進的產(chǎn)品及解決方案，為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產(chǎn)品，提升日常生活的便利性。意法半導體的產(chǎn)品無處不在，致力于與客戶共同努力實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導體主張智能科技引領(lǐng)智慧生活（life.augmented）的理念。

       意法半導體2014年凈收入74.0億美元，在全球各地擁有10萬客戶。