《電子技術應用》
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Diodes柵極驅動器可在半橋或全橋配置下 開關功率MOSFET與IGBT

2016-03-14

  Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動電機、工業(yè)自動化系統(tǒng)以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用于超過600W的電源,以及燃料電池、太陽能和風力發(fā)電應用的反相器

  DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器,使之適用于在電機驅動器及電源常見的高壓電源軌。高峰值電流驅動能力實現MOSFET與IGBT的快速開關,從而在高頻率工作下提升效率。這些器件的輸入邏輯兼容低至3.3V,進一步簡化控制器及電源開關之間的接口設計。

  為防止MOSFET或IGBT出現擊穿現象,所有器件都提供延遲匹配能力,而半橋驅動器還配備預設的內部死區(qū)時間。其它自我保護功能包括有效防止觸發(fā)故障狀態(tài)的施密特 (Schmitt) 輸入;能夠承受由高dV/dt開關所產生負瞬態(tài)的柵極驅動器,以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。


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