Diodes公司提供ZXGD3111N7 有源OR’ing MOSFET控制器，瞄準(zhǔn)使用冗余電源系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn)高可靠性的電信、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器應(yīng)用，提升最大200V的漏極電壓性能。相比先前發(fā)布的40V ZXGD3108N8，該最新器件增加了VDRAIN ，能夠在通過OR方式連結(jié)兩個(gè)或更多電源的48V共軌系統(tǒng)提供冗余功能以滿足其需求。
除了達(dá)到其它競爭產(chǎn)品兩倍的200V額定電壓之外，ZXGD3111N7還具有低關(guān)斷閾值電壓，緊密容差為-5mV至-1mV，從而在使用低RDS(ON) MOSFET器件時(shí)提升了輕負(fù)載條件下的穩(wěn)定性，使得這款控制器成為同級(jí)領(lǐng)先的解決方案，能夠在整個(gè)負(fù)載范圍提供最高效率和可靠性。
ZXGD3111N7經(jīng)設(shè)計(jì)與FET器件共用，創(chuàng)建理想的二極管以替代通常用于共軌設(shè)計(jì)之阻隔二極管，其5A散熱電流能力允許在并行OR’ing MOSFET中的柵極快速放電，其<600ns的快速關(guān)斷規(guī)范可以避免共軌中的反向電流和任何電壓降。這款器件具有業(yè)界領(lǐng)先的<50mW待機(jī)功耗，靜態(tài)電源電流<1mA。
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