style="text-indent: 2em;">SATA國際組織公布新的6Gb/s技術(shù)；ST展示業(yè)內(nèi)首款65nm SATA硬盤物理層接口
日內(nèi)瓦，2008年8月19日 – 全球半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先廠商意法半導體（ST）今天發(fā)布首款支持新的6Gb/s SATA（串行先進技術(shù)連接）硬盤連接標準的MIPHY（多標準接口物理層）物理層接口。物理層宏單元對來自和發(fā)送到硬盤驅(qū)動器的數(shù)據(jù)執(zhí)行高速串行化和解串行化轉(zhuǎn)換功能，并提供一個用于連接數(shù)據(jù)鏈路層的20位寬并行接口。SATA 是目前最流行的硬盤驅(qū)動器（HDD）接口，SATA國際組織（SATA-IO）在舊金山舉行的英特爾開發(fā)者論壇（IDF）上公布了新的接口標準，新標準把最大數(shù)據(jù)傳輸速率從3Gb/s提高到6Gb/s，ST在同一時間展示了新產(chǎn)品。

ST的6Gb/s SATA PHY是一個IP（知識資產(chǎn)）模塊，與其它功能模塊一起集成到低功耗的1.5Gb/s、3Gb/s 和 6Gb/s SATA 硬盤驅(qū)動器系統(tǒng)芯片（SoC）上。ST展示的物理層模塊包含SATA物理層串口，采用65nm CMOS制程。一家知名的領(lǐng)導硬盤廠商將在今年下半年的新產(chǎn)品中采用這項技術(shù)。

“隨著消費者在硬盤上存儲越來越多的音樂、視頻和圖片等多媒體文件，他們需要更快的硬盤數(shù)據(jù)傳輸速率，”ST數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品部總經(jīng)理Vittorio Peduto表示，“ST與SATA國際組織保持著密切的合作關(guān)系，這樣能夠保證我們在第一時間為硬盤廠商制造提供經(jīng)過權(quán)威機構(gòu)認證的解決方案。”

ST的65nm MIPHY IP模塊在上一代90nm技術(shù)基礎(chǔ)上取得了巨大的飛躍。新的MIPHY模塊給硬盤廠商帶來更大的經(jīng)濟價值，新產(chǎn)品的裸片尺寸縮小了35%，功耗降低了30%。在均衡電路和收發(fā)電路方面，架構(gòu)經(jīng)過進一步改進，抗抖動性能明顯增強，發(fā)送抖動現(xiàn)象減弱。這些優(yōu)勢對于移動硬盤驅(qū)動器市場和成本敏感的臺式硬盤驅(qū)動器PC市場特別重要，因為在這兩個市場上的系統(tǒng)制造商特別需要提供高性能低功耗的產(chǎn)品來區(qū)別于競爭對手。