IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1，099億美元。
報(bào)告將半導(dǎo)體區(qū)分成邏輯、存儲(chǔ)器，模擬與微組件（microcomponents）IC等四種類(lèi)型，在五年的預(yù)測(cè)區(qū)間內(nèi)，以存儲(chǔ)器成長(zhǎng)力道最為強(qiáng)勁，模擬IC以5.2%次之，微組件為4.4%，至于邏輯IC則僅有2.9%。
IC Insights指出智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備對(duì)低功耗存儲(chǔ)器需求激增，是驅(qū)動(dòng)DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽堋３酥猓褂肗AND快閃存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）在數(shù)據(jù)中心、筆記本電腦的應(yīng)用也日趨吃重。
三星上周五公布2016年第四季財(cái)報(bào)，在Note 7自燃召回的狀況下，營(yíng)益竟然還能逆勢(shì)跳增近80%，就是因?yàn)槭芑萦诖鎯?chǔ)器價(jià)格大漲，將利潤(rùn)空間拉大。
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