半導(dǎo)體高端制程戰(zhàn)火不停歇，臺(tái)積電和三星電子(Samsung Electronics)宣布的制程戰(zhàn)爭(zhēng)是讓人眼花撩亂，比技術(shù)也比宣傳花招，臺(tái)積電日前指出，5納米制程的晶圓廠確定在南科，目前正在環(huán)評(píng)階段，3納米晶圓廠也會(huì)以臺(tái)灣為優(yōu)先考量，因?yàn)榕_(tái)灣的生產(chǎn)效率是其他地方很難比的。

臺(tái)積電多次對(duì)外指出，希望政府能給予適合的土地，最重要是的充裕的電、水等，支持臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大在臺(tái)灣投資，雖然臺(tái)積電在臺(tái)灣以外的地方也有晶圓廠，例如美國(guó)Wafer Tech，以及大陸的上海8吋晶圓廠和南京12吋晶圓廠，但臺(tái)積電在臺(tái)灣北、中、難三地一氣呵成的生產(chǎn)基地，效率是其他地方很難比的。

臺(tái)積電也指出，5納米制程的晶圓廠確定在南科，目前該土地在環(huán)評(píng)階段，針對(duì)3納米晶圓廠的生產(chǎn)基地，一定會(huì)以臺(tái)灣為優(yōu)先考量，因?yàn)榕_(tái)灣的生產(chǎn)效率是其他地方很難比的，同時(shí)也感受到政府釋出的善意，在各方面都極力的幫忙。

臺(tái)積電的7納米、5納米、3納米制程十分重要，因?yàn)檫@是與英特爾、三星纏斗的關(guān)鍵時(shí)刻，地點(diǎn)的選擇牽涉到整個(gè)后勤的支持，臺(tái)積電內(nèi)部自然是十分看重。

其實(shí)摩爾定律越來越往下走，制程困難度越來越高，這一點(diǎn)從今年量產(chǎn)的10納米制程就可以看出端倪，不論是臺(tái)積電或三星，10納米制程的良率一直是業(yè)界討論的重點(diǎn)。

不過，半導(dǎo)體大廠并未因?yàn)橹瞥碳夹g(shù)難度高、良率不易突破就有所退縮，反而是大打制程世代技術(shù)大戰(zhàn)，讓外界是看得眼花撩亂！

臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家日前在技術(shù)論壇中就表示，2019年5納米量產(chǎn)后，搞不好會(huì)做4或3.5納米，同時(shí)臺(tái)積電一字排開也有28納米、22納米、16納米、12納米、10納米、7納米、5納米和3納米制程等，技術(shù)系列之完整是史上罕見。

三星更是不甘示弱表示，8納米、7納米、6納米、5納米、4納米每個(gè)制程世代都要做，且全部要取得領(lǐng)先，近期三星決定進(jìn)行組織改造，會(huì)將晶圓代工部門獨(dú)立，為了爭(zhēng)取更多客戶的訂單。

值得一提的是，三星更要在2020年投產(chǎn)4納米并導(dǎo)入環(huán)繞式閘極架構(gòu)(Gate-All-Around；GAA)，對(duì)決臺(tái)積電的5納米制程，加深兩家半導(dǎo)體大廠對(duì)陣的煙硝味。

同時(shí)，臺(tái)積電、三星都將在7納米導(dǎo)入極紫外光(EUV)技術(shù)，為5納米全面導(dǎo)入EUV技術(shù)暖身，未來半導(dǎo)體技術(shù)不只是為智能手機(jī)等移動(dòng)裝置量身定做，人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)等需要的高速運(yùn)算也是未來產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)趨勢(shì)。