臺(tái)積電痛宰三星電子，搶下高通（Qualcomm）驍龍（Snapdragon）處理器大單？據(jù)傳臺(tái)積電微縮制程進(jìn)度大幅超前三星，高通變心，決定把 7 納米芯片訂單轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。
韓國(guó)媒體 etnews 報(bào)導(dǎo)，三星替高通代工驍龍 820、830 系列芯片。不過業(yè)界消息透露，未來高通將轉(zhuǎn)單臺(tái)積電，生產(chǎn) 7 納米的次世代驍龍?zhí)幚砥鳌?jù)了解，臺(tái)積電今年 9 月將試產(chǎn) 7 納米驍龍芯片，預(yù)定今年底到明年初間量產(chǎn)。據(jù)稱三星掉單原因是，去年下半臺(tái)積電就提供客戶 7 納米的制程設(shè)計(jì)套件（Process Design Kit，PDK），三星電子遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后，要到今年 7 月才能發(fā)布 7 納米 PDK 的 beta 測(cè)試版本。
報(bào)導(dǎo)稱，臺(tái)積電眼光精準(zhǔn)，跳過 10 納米，直攻 7 納米制程。三星電子則停留 10 納米，近來才推出比 10 納米略為升級(jí)的 8 納米制程。從三星自家 Exynos 處理器生產(chǎn)進(jìn)度也可發(fā)現(xiàn)，三星 7 納米腳步遲緩。明年初量產(chǎn)的次世代 Exynos 芯片，將采 8 納米，7 納米 Exynos 芯片要到明年下半才會(huì)量產(chǎn)。
臺(tái)積電不只制程研發(fā)腳步快，另一優(yōu)勢(shì)是掌握先進(jìn)封裝技術(shù)──“扇出型晶圓級(jí)封裝”（Fan-Out Wafer Level Package，F(xiàn)oWLP）。三星在這方面也落后臺(tái)積，盡管全力研發(fā)比 FoWLP 更進(jìn)步的“扇出型面板級(jí)封裝”（Fan-out Panel Level Package，F(xiàn)oPLP），但估計(jì)仍需一兩年時(shí)間才能采用。
之前外媒也有謠傳，高通次世代驍龍 845 芯片訂單，或許不再由三星吃下。
AndroidHeadlines 5 月報(bào)導(dǎo)，據(jù)了解高通次世代芯片驍龍 845 進(jìn)入研發(fā)，預(yù)定 2018 年初問世，首發(fā)機(jī)種是三星電子的 Galaxy S9；一如今年上市的驍龍 835，首發(fā)機(jī)種為 Galaxy S8。目前驍龍 835 訂單由三星電子一家通吃。
消息稱，驍龍 835 采用 10 納米制程，明年的驍龍 845 將晉級(jí)至 7 納米制程，和前代相比，效能將提升 25%~35%。三星電子和臺(tái)積都努力爭(zhēng)取訂單，目前臺(tái)積電 7 納米制程已進(jìn)入試產(chǎn)。
據(jù)稱，除了高通之外，聯(lián)發(fā)科、中廠華為、Nvidia 也都有意改用 7 納米制程。