1．現(xiàn)在是一個追求產品效能的時代，傳統(tǒng)以硅為材料的功率半導體，正逐漸面臨發(fā)展瓶頸，而具有比硅更低導通電阻及更高切換速度的氮化鎵近幾年成為眾所矚目的焦點，吸引不同廠商投入發(fā)展。
2．氮化鎵在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級的提升。而5G技術的門檻相對更高，不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設備的互聯(lián)。氮化鎵器件擁有更高的功率密度、更高效率和更低功耗，正好能夠滿足5G通信對于半導體元器件性能的要求。
3．目前氮化鎵器件的成本仍然很高，但隨著氮化鎵襯底材料的技術突破，預計采用新材料的氮化鎵器件大規(guī)模生產后，它的成本將與硅功率器件相當，而產品的綜合系統(tǒng)成本則會遠低于硅器件。
4．作為新一代半導體元件，氮化鎵方面的核心技術目前主要集中在國外企業(yè)手上。眾所周知，氮化鎵也是重要國防軍工產品的關鍵技術，國外對我國技術封鎖，而目前我國氮化鎵核心材料、器件原始創(chuàng)新能力仍相對薄弱，國內在氮化鎵器件研發(fā)和生產上面臨許多挑戰(zhàn)。
5．氮化鎵器件的市場前景十分廣闊，手機快充、5G通信、電源、新能源汽車等都是重要的應用市場。面對大好機遇，國內產學研用等相關各方面要勇于挑戰(zhàn)，創(chuàng)新合作模式，協(xié)同攻關，建立并發(fā)展好國內氮化鎵產業(yè)鏈。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。