根據(jù)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）于2018年2月28日公布的「全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告」(World Fab Forecast)最新內(nèi)容中指出，2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將增加5%，連續(xù)第四年呈現(xiàn)大幅成長(zhǎng)（如圖所示）

全球晶圓設(shè)備支出再創(chuàng)連四年大幅成長(zhǎng)紀(jì)錄

除非原有計(jì)劃大幅變更，中國(guó)大陸將是2018、2019年全球晶圓廠設(shè)備支出成長(zhǎng)的主要推手。 全球晶圓廠投資態(tài)勢(shì)強(qiáng)勢(shì)，自1990年代中期以來，業(yè)界就未曾出現(xiàn)設(shè)備支出金額連續(xù)三年成長(zhǎng)的紀(jì)錄。

SEMI預(yù)測(cè)，2018和2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將以三星居冠，但投資金額都不及2017年的高點(diǎn)。 相較之下，為支持跨國(guó)與本土的晶圓廠計(jì)劃，2018年中國(guó)大陸的晶圓廠設(shè)備支出較前一年將大幅增加57%，2019年更高達(dá)60%。 中國(guó)大陸設(shè)備支出金額預(yù)計(jì)于2019年超越韓國(guó)，成為全球支出最高的地區(qū)。

繼2017年投資金額刷新紀(jì)錄后，2018年韓國(guó)晶圓廠設(shè)備支出將下滑9%，至180億美元，2019年將再下滑14%，至160億美元，不過這兩年的支出都將超過2017年之前水平。 至于晶圓廠投資金額全球排名第三的臺(tái)灣，2018年晶圓設(shè)備支出將下滑10%，約為100億美元，不過2019年預(yù)估將反彈15%，增至110億美元以上。 

一如先前預(yù)期，隨著先前所興建的晶圓廠進(jìn)入設(shè)備裝機(jī)階段，中國(guó)大陸的晶圓廠設(shè)備支出持續(xù)增加。 2017年中國(guó)大陸有26座晶圓廠動(dòng)工刷新紀(jì)錄，今明兩年設(shè)備將陸續(xù)開始裝機(jī)。

在中國(guó)大陸所有晶圓廠設(shè)備投資仍以外資為主。 不過2019年本土企業(yè)可望提高晶圓廠投資，占中國(guó)大陸所有相關(guān)支出的比重也將從2017年的33%，增至2019年的45%。

產(chǎn)品類別支出

3D NAND將是支出最高的產(chǎn)品類別，2018年及2019年將各成長(zhǎng)3%，金額分別達(dá)到160億美元和170億美元。 2018年DRAM將強(qiáng)勁增長(zhǎng)26%，達(dá)140億美元，但2019年將下滑14%，至120億美元。 為了支持7nm制程相關(guān)投資和提高新產(chǎn)能，2018年晶圓代工業(yè)設(shè)備支出將增加2%，達(dá)170億美元，預(yù)估明年在進(jìn)入5nm后，增幅高達(dá)26%、達(dá)220億美元。