早在2017年，國內公司進軍內存產業的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢達的基礎在DDR3內存上取得了突破，下半年更會推出主流的DDR4內存芯片。似乎中國已經要趕上國外主流水準，但是業內卻傳出DDR內存已經過時，新的內存即將取代，這無疑給國內的DDR內存制造廠商當頭一棒。
DDR全球格局
DDR內存全稱是DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動態隨機存儲器）。最早是由三星提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。如今已經成為21世紀主流的內存規范。
目前世界上主要有3位DRAM領域的大佬，三星、SK海力士以及鎂光，這三家占據了市場上95%的份額，國內的廠商也是希望能夠打破這種局面，讓自己的產品在世界上占有一席之地。
目前來說，市面上主流的內存依然是DDR4，并且DDR5已經蓄勢待發，即將進入市場，但即使是這樣，DDR內存帶寬的提升速度依然跟不上時代的腳步，因此有業界人士提出DDR內存即將淘汰的看法。
HBM的崛起
取代者為帶寬更高的HBM內存，2020年就會上市HBM 3內存，2024年則有望生產出HBM 4內存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。
對于DDR內存，可能大家都還有所了解，但是對于HBM內存，也只有那些熱衷于DIY組裝的玩家才會知曉。目前市面上只有HBM 2內存，核心容量可達8Gb，通過TSV技術可以實現每個CPU支持64GB HBM2內存，每路插槽的帶寬可達2TB/s，而到了HBM 4時代，每個CPU支持的容量可達512GB，帶寬超過8TB/s。
相比目前AMD的RPYC處理器，其支持8通道DDR4內存，最高容量能達到2TB，但是帶寬只有150GB/s，與HBM內存相比還有所差距。
AMD在2015年發布的Fury系列顯卡上，首次商用了第一代HBM技術，超高的帶寬以及極低的占用面積徹底改變了當時的顯卡設計，隨后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技術。
總體來說，相比于DDR內存，HBM內存的帶寬優勢更為明顯，在一些需要高帶寬的場合中，HBM無疑是更好的選擇，比如HPC高性能計算機行業就非常需要HBM支持。
兩種內存將長期共存
但目前而言，HBM在短時間內還無法大面積進入市場當中，其中有兩個重要原因，一個是目前在桌面端主流的內存依然還是DDR，即便由于HBM在帶寬上更具優勢，但是由于DDR內存在容量上的極大優勢，在短時間內還無法取代；另一個則是成本問題了，這也是最主要的原因，成本的居高不下，讓HBM內存還無法快速融入市場。
如同機械硬盤與固態硬盤一樣，雖然固態硬盤不論在讀寫速度還是啟動速度等，都遠勝于機械硬盤，但是容量以及價格，便制約了其發展。現如今，幾乎大多數電腦都還有機械硬盤的存在，固態硬盤在無法在短時間取而代之，換而言之，DDR內存與HBM內存之間的關系也是如此。
并且如今掌握HBM技術的廠家相對更少，比較知名的只有三星與SK海力士，鎂光由于HMC技術，因此對于HBM技術并不熱衷，因此在可以預見的未來，HBM降低成本的過程將是非常緩慢的。
再一個，全球價值720億美元的DRAM市場上，僅三星一家就占有了46%的市場份額，SK海力士大約在29%，鎂光在收購為其代工內存芯片的華亞科之后，市場份額也在21%，兩家韓國公司控制了全球75%的內存市場份額，這種高壟斷的形式，也讓國內的相關行業非常難受，處處受制。
但是反過來說，在這樣高壟斷的情況下，尤其是自己還掌握這HBM技術之下，更不會主動去砸自己的飯碗，更何況DDR內存的市場依然廣大，利潤也更高，除非是鎂光主動發力，要不然三星與海力士肯定是要賺足DDR的利潤之后，才會考慮推廣HBM。
艱難起步的國產內存
而中國在DRAM領域中卻沒有絲毫的存在感，眼看著如此大的市場卻被這些巨頭瓜分，但是自己卻無能為力。好在紫光公司已經在這個領域中入門，下半年將會繼續推出DDR4內存。但值得注意的是，雖然紫光已經正式推出了自己的內存，但是在價格上卻與國外的內存相差無幾。
這里面，除了紫光量產的DDR3內存太少，無法左右市場價格之外，還有一個原因便是其主要技術都是來自于奇夢達，而這家公司的技術已是十多年前的了，導致在DRAM制作工藝上落后，良品率極低，最后不得不在價格上進行妥協。
并且在晶圓上，大陸企業相較于國外也落后許多，可以這么說，在這條道路上，我國的企業基本都是從零開始。不同于其它行業，可以依靠人力以及資金來解決問題，在這些領域中，唯有技術才是解決一切的關鍵。
而我們恰恰缺少的就是相關的技術，并且由于頭部公司在相關技術人員的把控上異常嚴格，在引進相關技術人才時，會導致許多的法律問題。前不久就有報道稱美光公司去年底選擇在美國加州提起訴訟，指控臺灣聯電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權，竊取商業機密，這就是國內公司從臺灣華亞科等公司搶人才所帶來的不利后果之一。
小結
總的來說，目前國內相關企業依然還有很長的一段路要走，不但要打破國外的技術壟斷，還要自己進行創新，紫光雖然已經能夠進行DDR3內存的量產，并且DDR4在下半年也有望推出，但是采用的依然是別人的技術，這樣也只能沿著別人的老路走，即使追上去，也智能跟在別人的后面。
擁有自己的創新技術，是企業在該行業中生存的制勝法寶，雖然在短期內HBM技術暫時不會取代DDR技術，但是長遠來看，國內的企業也可以在這方面進行探討，這樣才可能實現彎道超車。