《電子技術(shù)應(yīng)用》
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存儲芯片局勢淺析

2018-07-26
關(guān)鍵詞: 紫光 芯片 DRAM 存儲器

  下游需求結(jié)構(gòu)來看,手機、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NANDFlash為主,立基型存儲器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND等特殊型存儲器市場。從存儲容量需求來看,據(jù)美光數(shù)據(jù)2018-2020年DRAM的比特容量需求復(fù)合增速達到20-25%,NANDFlash的比特容量需求復(fù)合增速增速達到40-45%。

  云計算即將跨入AI時代,單臺AI服務(wù)器需要2.5TBDRAM,是傳統(tǒng)服務(wù)器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務(wù)器應(yīng)用的普及,服務(wù)器DRAM的容量需求將不斷提升。預(yù)計到2021年,包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務(wù)在內(nèi)的全球AI市場規(guī)模將達到576億美金。

  NANDFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級,目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門版設(shè)置,在視頻應(yīng)用、游戲應(yīng)用驅(qū)動下,主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)觸及價格甜蜜點,未來將快速替代機械硬盤,2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時期,滲透率曲線有望進入最陡峭的階段。

  NandFlash全面進入3D時代,技術(shù)路線的變化為存儲芯片國產(chǎn)化提供契機。目前三星、美光、intel的3DNAND生產(chǎn)比重已經(jīng)突破80%,預(yù)計到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產(chǎn)品,3DNAND的單位比特成本更低,并且在不斷向更高層數(shù)的產(chǎn)品演進。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年,目前市場主流出貨產(chǎn)品為64層3DNAND,三星及東芝的96層研發(fā)工作已經(jīng)完成,目前已進入試產(chǎn)階段。

  特殊型存儲器產(chǎn)品形態(tài)多樣化,涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲器行業(yè)具有下游應(yīng)用風(fēng)扇、競爭格局好、產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移等特點,是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈,ADAS、車聯(lián)網(wǎng)的ECU搭載率越來越高,國內(nèi)本土存儲芯片企業(yè)有望持續(xù)擴大市場占有率。

  投資策略:建議關(guān)注國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)企業(yè)。主流存儲器關(guān):注長江存儲、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲器關(guān)注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領(lǐng)域關(guān)注太極實業(yè)、深科技。,NANDFlash的比特容量需求復(fù)合增速增速達到40-45%。

  云計算即將跨入AI時代,單臺AI服務(wù)器需要2.5TBDRAM,是傳統(tǒng)服務(wù)器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務(wù)器應(yīng)用的普及,服務(wù)器DRAM的容量需求將不斷提升。預(yù)計到2021年,包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務(wù)在內(nèi)的全球AI市場規(guī)模將達到576億美金。

  NANDFlash的增長主要受手機容量升級、SSD固態(tài)硬盤普及推動。手機閃存容量配置不斷升級,目前主流手機品牌旗艦機型搭載64GB作為入門版設(shè)置,在視頻應(yīng)用、游戲應(yīng)用驅(qū)動下,主流容量有進一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)觸及價格甜蜜點,未來將快速替代機械硬盤,2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時期,滲透率曲線有望進入最陡峭的階段。

  NandFlash全面進入3D時代,技術(shù)路線的變化為存儲芯片國產(chǎn)化提供契機。目前三星、美光、intel的3DNAND生產(chǎn)比重已經(jīng)突破80%,預(yù)計到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產(chǎn)品,3DNAND的單位比特成本更低,并且在不斷向更高層數(shù)的產(chǎn)品演進。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年,目前市場主流出貨產(chǎn)品為64層3DNAND,三星及東芝的96層研發(fā)工作已經(jīng)完成,目前已進入試產(chǎn)階段。

  特殊型存儲器產(chǎn)品形態(tài)多樣化,涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲器行業(yè)具有下游應(yīng)用風(fēng)扇、競爭格局好、產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移等特點,是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈,ADAS、車聯(lián)網(wǎng)的ECU搭載率越來越高,國內(nèi)本土存儲芯片企業(yè)有望持續(xù)擴大市場占有率。

  投資策略:建議關(guān)注國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)企業(yè)。主流存儲器關(guān):注長江存儲、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲器關(guān)注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領(lǐng)域關(guān)注太極實業(yè)、深科技。


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