聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)。同時聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。

　　聯(lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(SoC)上。

　　兩家公司也正考慮將合作范疇擴展至28納米以下的制程技術，利用Avalanche 在CMOS技術的兼容及可擴充特性，運用到各個先進制程。使這些統(tǒng)一內(nèi)存(非揮發(fā)性及靜態(tài)隨機存取內(nèi)存SRAM)能順利地移轉調(diào)配到下一世代的高整合性的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(SoC)上。如此一來，系統(tǒng)設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟件系統(tǒng)上直接修改而不需重新設計。

　　Avalanche的執(zhí)行長及共同創(chuàng)辦人Petro Estakhri表示：「我們非常高興團隊里有像聯(lián)華電子這樣的世界級半導體晶圓專工的領導者，帶給我們市場上最卓越的技術。」

　　聯(lián)華電子先進技術處洪圭鈞副總經(jīng)理也表示：「聯(lián)華電子不斷推出持續(xù)精進的制程技術，以提升客戶的競爭優(yōu)勢。而隨著嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存NVM解決方案在目前的芯片設計界日趨普及，我們已經(jīng)為高成長的行業(yè)，如：新興消費和車用電子應用的客戶，建立了強大且堅實的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案組合。很高興和Avalanche合作開發(fā)28納米MRAM，更期待能將此合作進程推升至聯(lián)華電子客戶的量產(chǎn)階段。」