在制程推進(jìn)到10nm以內(nèi)后，研發(fā)難度也越來越大，這點(diǎn)從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries(格羅方德，格芯)的7nm走在前列，而且今年3月還邀請少數(shù)資深記者前往旗下最先進(jìn)的紐約Malta的Fab 8工廠，介紹他們計(jì)劃向7nm EUV推進(jìn)。

　　然而，計(jì)劃趕不上變化，GF今日宣布，出于經(jīng)濟(jì)因素考慮，擱置7nm LP項(xiàng)目，將資源回歸到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。

　　當(dāng)前，GF的12nm/14nm多用在AMD的銳龍?zhí)幚砥鳌adeon GPU上，12FDX/22FDX則可以提供優(yōu)質(zhì)的性價(jià)，可用于集成模擬和射頻組件的IC，如5G基帶。

　　按照AnandTech的報(bào)道，GF的5nm和3nm研發(fā)也將終止，今年底前逐步停掉與IBM硅研發(fā)中心在這方面的合作。

　　雖然，關(guān)鍵客戶AMD隨后宣布，7nm產(chǎn)品將由臺(tái)積電打造，且合作良好，但其實(shí)AMD和GF的確有基于7nm的研發(fā)計(jì)劃，包括五年期的晶圓協(xié)議也有7nm的框架。

　　外媒分析，GF此次宣布后，和IBM以及AMD可能需要重新就晶圓協(xié)議進(jìn)行談判。

　　最后要說的是，GF退出后，四家明確使用7nm EUV技術(shù)的廠商便只剩下了三星、臺(tái)積電和Intel。按技術(shù)規(guī)劃，GF的7nm共有三代，第一代DUV，第二代部分引入EUV極紫外光刻，第三代密集使用EUV。

　　此前，世界第三大代工廠聯(lián)電(UMC)也在本月宣布放棄對12nm以下制程節(jié)點(diǎn)的研發(fā)。