近日，據(jù)外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。

　　長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。長鑫內(nèi)存自主制造項目總投資1500億元，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm工藝級8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

　　目前長鑫存儲已經(jīng)完成了合肥Fab 1及研發(fā)設(shè)施建設(shè)，該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會提升到40000晶圓/月，大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。預(yù)計到 2020 年底，其 10nm 級工藝技術(shù)的產(chǎn)能為 12 萬片晶圓（12 英寸），媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。

　　長鑫存儲已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計算機存儲器，且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖，計劃在未來生產(chǎn)各種類型的DRAM。為了提升產(chǎn)量，長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分，其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

　　長鑫存儲正在使用其 10G1 技術(shù)（19 nm 工藝）來制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存儲器芯片，目標(biāo)在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場，該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

　　從路線圖來看，CXMT 還規(guī)劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工藝）產(chǎn)品。盡管目前尚無法撼動業(yè)內(nèi)老牌競爭對手，但該公司相當(dāng)重視創(chuàng)新工藝的研發(fā)和產(chǎn)能的擴張。

　　預(yù)計長鑫存儲 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù)，并在遠期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻（EUVL）工藝。

　　盡管該公司計劃于 2019 年初開始生產(chǎn) DDR4 內(nèi)存，但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后，該公司還計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

　　目前長鑫存儲國內(nèi)唯一的競爭對手是清華紫光，它計劃于2021年在重慶建成研發(fā)中心和DRAM晶圓廠，距離量產(chǎn)還要3-5年時間。

　　就在前幾天，長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議，依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從Polaris獲得大量DRAM技術(shù)專利的實施許可。依據(jù)獨立的專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利。