光刻機，被稱為現(xiàn)代光學工業(yè)之花，制造難度非常大，全世界只有少數(shù)幾家公司能夠制造。其售價高達7000萬美金。用于生產(chǎn)芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板，國內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

半導體行業(yè)投資機遇

半導體是典型的技術(shù)密集型行業(yè)，當前與美國、日本等發(fā)達國家存在較大差距，處于發(fā)展初期的國內(nèi)半導體行業(yè)，有先天市場優(yōu)勢，未來增長空間巨大。

當然，半導體行業(yè)前期研發(fā)投入較大，企業(yè)利潤稍顯不足，投資者需要有足夠耐心，假以時日產(chǎn)品研發(fā)成功，由于行業(yè)壁壘較高，企業(yè)護城河更寬，行業(yè)利潤非?？捎^。

2020 年 5G 將迎來規(guī)模商用，而5G 智能手機相較于 4G 手機，射頻前端等芯片價值量將大幅提升，受 5G智能手機出貨拉動，半導體制造、封測的產(chǎn)能利用率有望大幅提升。

此外，為促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展而成立的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金），二期基金已經(jīng)成立，資金規(guī)模超達2041億元，重點投向半導體上游設備和材料領(lǐng)域。

綜上所述：半導體行業(yè)進入快速發(fā)展期，板塊迎來投資潮，疊加未來幾年5G應用變現(xiàn)，布局半導體行業(yè)正當時。

國產(chǎn)光刻機，走在曲折但奮進的路上

ASML雖然偉大，但畢竟是別人家的。對于中國來說，只有自己掌握了核心科技，才能不被外界掣肘。

中國對光刻機的研究起步并不晚，大概在上世紀70年代，早期的型號主要是接觸式光刻機。所謂接觸式光刻機，也就是光罩貼在晶圓上的。中科院1445所在1977年研制出了一臺接觸式光刻機，比美國晚了二十年左右。

兵進光刻機，中國芯片血勇突圍戰(zhàn)

1985年，機電部45所研制出了第一臺分步投影式光刻機，而美國在1978年研制出這種光刻機，當時使用的是436nm G線光源。

90年代的時候，國內(nèi)光刻機在技術(shù)上和國外其實相差還不遠，大概相當于國外80年代中期的水平。

不過要知道，光刻機這種東西，工藝（即采用光源的波長）每向前進一個臺階，制造的難度、需要的資金，都是指數(shù)級增長的，越往后越難搞。

2000年開始，我國開始啟動研究193nm ArF光刻機的項目。正如前文所說，那個時候ASML已經(jīng)正在研究EUV光刻機了。

2002年，光刻機被列入國家863重大科技攻關(guān)計劃，由科技部和上海市共同推動成立上海微電子裝備有限公司來承擔。

上海微電子基本上也代表了目前國產(chǎn)光刻機的最高水平。經(jīng)過十多年的發(fā)展，目前其自主研發(fā)的600系列光刻機可以實現(xiàn)90nm制程工藝芯片的量產(chǎn)，使用的還是193nm ArF光源。

很明顯，從制程工藝的角度上看，國產(chǎn)光刻機目前和ASML差距非常大。不過，國際上其他國家也基本沒有量產(chǎn)157nm及以下光刻機的，從這個角度看，國產(chǎn)光刻機和除ASML之外的國際水準也并未落后多少。

目前上海微電子還在研究為65nm制程芯片服務的光刻機，什么時候能夠做出來，還不好說。

總之，目前國產(chǎn)光刻機能實現(xiàn)的制程水平還卡在90nm，和ASML差距明顯，高端光刻機還是要靠進口。

半導體行業(yè)沒有捷徑

世界局勢風云變幻，現(xiàn)實不斷催促我們必須盡快在半導體技術(shù)領(lǐng)域有所突破。

但是，在這個產(chǎn)業(yè)里，其實也沒有什么捷徑或者彎道超車的路可走，只有一個制程節(jié)點一個制程節(jié)點地去攻破，積淀技術(shù)。想要追趕國際領(lǐng)先的水平，只有付出更多的精力，投入更多的資源。

光刻機，當然至關(guān)重要，但并不是說，花錢買來一臺EUV光刻機，中國半導體產(chǎn)業(yè)就能一躍而上。

同時，這個行業(yè)進化節(jié)奏之快，對于科研人員來說，也沒有太多成績上的激勵，必須十年甚至幾十年如一日地沉下心來去做。

而這，是ASML能夠崛起的原因，也是我們想要實現(xiàn)追趕的唯一途徑。