近日，三星發(fā)布了一款名為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，預計將在今年上半年開始量產。
據悉，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現16GB容量，最高可提供3．2Gbps的穩(wěn)定數據傳輸速度。
全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝，單顆最大容量為16GB，由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說，全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認的3．2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達410GB／s的頻寬，1秒內便可傳輸82部 Full HD （5GB）全高清畫質的影片。
至于三星內部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片，在“超頻”后可以達到最高4．2Gbps的傳輸速率，頻寬更高達538GB／s，比上代產品高出75％。
按照三星官方的說法，全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產，特別適用于HPC高性能運算系統，并可幫助系統制造商及時改進其超級電腦、AI驅動的數據分析以及最新的圖形系統。
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