電子器件向著小型化方向發(fā)展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設(shè)計(jì)過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運(yùn)行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。

    英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項(xiàng)尖端硅技術(shù)與寬帶技術(shù)相集成。英飛凌基于已經(jīng)在市場上推出的CoolSiC?技術(shù)，推出了新的CoolGaN?解決方案，這些解決方案完善了CoolMOS?產(chǎn)品組合的超級器件。 CoolGaN可確保高效率并降低功率轉(zhuǎn)換器的重量。 CoolGaN可使輸出功率加倍，在相同的空間內(nèi)提供更高的效率。 CoolGaN晶體管中RDS(ON)的溫度系數(shù)明顯低于硅晶體管，這驗(yàn)證了Infineon所說的關(guān)于傳導(dǎo)損耗的合理效率。

    CoolGaN系列中使用的技術(shù)適用于單個(gè)封裝中的多芯片解決方案，并且與等效解決方案相比，可提供更直接，更便宜的半橋拓?fù)洹?/p>

    CoolGaN器件簡化了PFC(功率因數(shù)校正)的半橋拓?fù)洌ㄏ藷o效的輸入矯直橋。

    600V CoolGaN系列CoolGaN器件的制造符合合格的工藝規(guī)范，該規(guī)范遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了硅功率器件的標(biāo)準(zhǔn)，并且針對電信，數(shù)據(jù)通信和SMPS服務(wù)器應(yīng)用以及許多工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

    在電源大會上，我們采訪了英飛凌GaN市場與應(yīng)用高級總監(jiān)Tim McDonald。 Infineon Technologies AG是半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，這些解決方案使生活更輕松，更安全，更綠色。英飛凌的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案為美好的未來做出了貢獻(xiàn)-使我們的世界更輕松，更安全，更綠色。以上就是新型電源解決方案CoolGaN，相信能給大家?guī)硪欢ǖ膸椭?/p>