在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動(dòng)器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)LGA封裝、細(xì)小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
     當(dāng)48 V轉(zhuǎn)到12 V的降壓轉(zhuǎn)換器在1 MHz的開關(guān)頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級(jí)集成電路可實(shí)現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個(gè)分立器件的解決方案，這個(gè)集成電路在PCB的占板面積少33%。

    EPC2152 是該系列的首個(gè)產(chǎn)品。該系列在未來(lái)會(huì)進(jìn)一步推出采用芯片級(jí)封裝(CSP)及多芯片四方偏平模塊(QFM)的功率級(jí)IC。在未來(lái)一年內(nèi)將推出可在高達(dá)3至5 MHz頻率范圍工作、每級(jí)功率級(jí)的電流可高達(dá)15 A至30 A的產(chǎn)品.

    該產(chǎn)品系列使得設(shè)計(jì)師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)。 集成多個(gè)器件在單晶片上，設(shè)計(jì)師可以更容易設(shè)計(jì)、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。

    宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow說(shuō)，“分立式功率晶體管正在進(jìn)入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實(shí)現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程。” Alex 繼續(xù)說(shuō)：“這個(gè)全新功率級(jí)集成電路系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的最新發(fā)展里程，從集成多個(gè)分立式器件，以至集成更復(fù)雜的解決方案都可以，從而實(shí)現(xiàn)硅基解決方案所不能實(shí)現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設(shè)計(jì)出高效的功率系統(tǒng)。”