根據(jù)韓媒報道，三星在下一代閃存芯片的開發(fā)中取得重大進展，第七代V NAND閃存芯片將達到176層，并將于明年4月實現(xiàn)量產(chǎn)。這將是業(yè)界首個高于160層的高級別的NAND閃存芯片，三星將因此再次拉開與競爭對手的技術差距，維持自2002年以來一直在全球NAND閃存市場中排名第一的地位。

　　相比于上一代閃存，第七代閃存在堆棧上取得明顯的進步。三星的第六代NAND閃存是128層，于今年6月開始量產(chǎn)，而第七代閃存將達到176層，盡管并沒有達到其最初計劃的192層，但依然有著明顯的進步。

　　據(jù)悉，第七代NAND閃存采用了“雙堆棧”技術，這是一種可以將通孔分成兩部分的，以便電流通過電路的方法。過去的單堆棧只能有一部分通孔，隨著堆棧層數(shù)的增多，工藝也隨之改進。

　　今年6月，三星宣布將投資約9萬億韓元在位于韓國京畿道平澤工廠的2號線建設新的NAND閃存芯片生產(chǎn)設施，以擴大NAND閃存的生產(chǎn)線，并預計該設施將于2021年下半年投入運營。三星表示，將在新地點大規(guī)模生產(chǎn)尖端NAND存儲芯片，可能比原計劃更早開始量產(chǎn)第七代NAND閃存芯片。

　　與DRAM相比，NAND閃存是更具代表性的存儲芯片，且其存儲容量隨著堆棧數(shù)的增加而增加，因此堆棧的層數(shù)也被視為NAND閃存的核心競爭力。

　　三星一直通過減少集成電路的線寬來提高存儲芯片的性能和容量，引領高級NAND閃存的開發(fā)。

　　自2006年以來，三星一直研究3D NAND閃存。在存儲芯片的發(fā)展過程中，隨著存儲數(shù)據(jù)的單元變小，當線寬小于10nm時，便容易受到單元同單元之間的干擾，而3D NAND閃存能夠垂直放置在平面中排列的單元，以減少單元間的干擾。這是一種通過像公寓一樣垂直堆疊現(xiàn)有平面結構NAND來增加存儲容量的方法，在業(yè)界被稱之為3D NAND閃存，被三星獨立命名為V NAND。

　　2013年，三星成功量產(chǎn)了世界上第一個三維單元結構的V NAND閃存，從而改變了技術范式。當時許多人對V NAND閃存的商業(yè)化表示懷疑，不過現(xiàn)在所有的存儲芯片公司都在展開激烈的3D NAND閃存競爭。長江存儲的128層3D NAND閃存已于今年宣布量產(chǎn)，英特爾也有今年發(fā)布了144層3D NAND閃存，SK海力士目前處于176 4D NAND研究階段，此外還有西部數(shù)據(jù)（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）等公司也在競爭之列。

　　在第一代（24層）V NAND閃存商業(yè)化之后，三星持續(xù)增加堆棧層，目前已經(jīng)發(fā)展到第二代（32層）、第三代（48層）、第四代（64/72層）、第五代（92/96層）和第六代（128層）。通常更新一代，需要1到2年時間。

　　三星于去年8月完成128層V NAND閃存的開發(fā)，并實現(xiàn)量產(chǎn)。當時，三星宣布已經(jīng)向全球PC公司提供了基于第六代NAND閃存的企業(yè)PC固態(tài)驅動器（SSD）。

　　在NAND閃存市場上，三星一直業(yè)界領先。去年，三星以165.17億美元的銷售額占據(jù)全球市場的35.9%，在NAND閃存市場中排名第一，持續(xù)自2002年以來的領先地位。