消息指出，臺(tái)積電2納米制程研發(fā)，現(xiàn)已離開尋找路徑階段，進(jìn)入交付研發(fā)，且法人預(yù)期2023 年下半即可風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

　　臺(tái)積電去年就成立2納米專案研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在考慮成本、設(shè)備兼容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件下來尋找可行路徑，如今臺(tái)積電雖然仍沒有公布細(xì)節(jié)，但已表示將會(huì)是全新架構(gòu)。而據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，臺(tái)積電2納米即將改采全新的GAA 基礎(chǔ)，使用多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)。

　　這是由于3納米已達(dá)FinFET 技術(shù)的瓶頸，會(huì)出現(xiàn)制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題，就算有EUV 技術(shù)加持，但2納米勢(shì)必要轉(zhuǎn)換跑道。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA ，意圖在此技術(shù)上彎道超車臺(tái)積電，但臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)，及EUV 運(yùn)用經(jīng)驗(yàn)，將能使良率提升更順利。

　　所以不少業(yè)內(nèi)人士預(yù)期，若2納米在2023年即能投產(chǎn)，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺(tái)積電所公布的制程推進(jìn)現(xiàn)況來看，采用EUV 的5納米良率已快速追上7納米，顯見臺(tái)積電在良率提升上的底蘊(yùn)，甚至有業(yè)界預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率即可到9成。三星雖提前量產(chǎn)3納米GAA，但在性能上未必能壓過臺(tái)積電，而GAA 良率上的落差可能也不會(huì)如預(yù)期般明顯，且據(jù)傳2納米背后還有蘋果的研發(fā)能量支持。

　　不過未來半導(dǎo)體制程將會(huì)更加競(jìng)爭(zhēng)，不僅是三星，英特爾的SuperFin 技術(shù)也不可小覷，雖然納米節(jié)點(diǎn)時(shí)程落后，但實(shí)際性能并不真的多差。早有輿論認(rèn)為，臺(tái)積電及三星的制程競(jìng)逐，很多只是數(shù)字游戲，而英特爾其實(shí)相對(duì)踏實(shí)，就實(shí)際晶體管密度等指標(biāo)來看，新的英特爾10納米強(qiáng)化版已接近臺(tái)積電5納米，是非常大的單一節(jié)點(diǎn)升級(jí)。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價(jià)，SuperFin 仍然很有高階制程市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，就如同三星8納米已打出一片市場(chǎng)一般，臺(tái)積電雖然還占有優(yōu)勢(shì)，但仍不能輕敵。目前臺(tái)積電已表示，未來2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山，將規(guī)劃建設(shè)4 個(gè)超大型晶圓廠，將成為下一輪半導(dǎo)體大戰(zhàn)主力。