當(dāng)前,最先進(jìn)的芯片已經(jīng)采用了5nm工藝(蘋果A14),這在另一方面也意味著,晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進(jìn)制程技術(shù)的迭代。

來自Digitimes的最新報(bào)道稱,臺(tái)積電2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前,目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索階段。

GAA即環(huán)繞柵極晶體管,旨在取代走到盡頭的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。FinFET由華人科學(xué)家胡正明團(tuán)隊(duì)研制,首發(fā)于45nm,目前已經(jīng)推進(jìn)到5nm。

不過,據(jù)說臺(tái)積電的3nm依然延續(xù)FinFET,但三星則會(huì)提前于3nm導(dǎo)入GAA技術(shù)。

基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu),三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應(yīng)管),與現(xiàn)在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

當(dāng)然,落后其實(shí)并不可怕,最主要看進(jìn)度。三星7nm也是想“一口吃個(gè)胖子”,直接導(dǎo)入EUV極紫外光刻,結(jié)果起個(gè)大早趕個(gè)晚集,被臺(tái)積電用7nm DUV搶先,自己實(shí)際并未攬獲多少有價(jià)值的訂單。

不停蹄地推進(jìn)制程技術(shù)的迭代。