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臺積電2nm工藝重大突破!

2020-09-27
來源:中國半導體論壇
關(guān)鍵詞: 臺積電 2nm 半導體

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一直以來臺積電半導體領域都是處于全球領先水平,其5nm工藝制程的芯片已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。現(xiàn)在據(jù)臺媒報道,臺積電2nm工藝取得重大突破。

據(jù)報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風險試產(chǎn)良率就可以達到90%。

供應鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構(gòu)。

據(jù)了解,臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊,尋找可行路徑進行開發(fā)。現(xiàn)在在2nm工藝上有所突破也將在未來代工方面帶來優(yōu)勢。

現(xiàn)在臺積電5nm工藝已經(jīng)獲得了蘋果的訂單,其它產(chǎn)能也被高通、ADM等廠商占用,如果2nm工藝量產(chǎn),那么勢必比競爭對手快一大截,將會獲得更多的訂單。









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