10月21日消息,瞻芯電子宣布已于今年完成過(guò)億元人民幣融資,投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產(chǎn)業(yè)協(xié)同方,青桐資本擔(dān)任財(cái)務(wù)顧問(wèn)。

同時(shí),瞻芯電子正式發(fā)布了基于6英寸晶圓通過(guò)JEDEC(暨工規(guī)級(jí))認(rèn)證的1200V 80mohm碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品。這是首款在國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)研發(fā)、國(guó)內(nèi)6英寸生產(chǎn)線制造流片的碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品的發(fā)布填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

據(jù)了解,瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。自成立之日起,瞻芯電子便啟動(dòng)6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝的研發(fā)工作。

青桐資本執(zhí)行總經(jīng)理陳蓉鴻表示:“很榮幸本次能與張永熙博士領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì)合作,瞻芯電子擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝開發(fā)、器件設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)應(yīng)用及產(chǎn)品運(yùn)營(yíng)的高素質(zhì)團(tuán)隊(duì),掌握6英寸成套SiC MOSFET工藝流程包括自主核心單項(xiàng)工藝,成為國(guó)內(nèi)首家打通6英寸SiC MOSFET工藝的芯片公司,第一期產(chǎn)品達(dá)到世界一流水平。碳化硅是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料,市場(chǎng)潛力巨大。我們期待瞻芯電子成為世界一流的高性能碳化硅功率器件及應(yīng)用模塊產(chǎn)品研發(fā)制造商。”