據(jù)韓國專業(yè)電子行業(yè)媒體etnews報(bào)道， SK Hynix已開始在其總部DRAM工廠建造一條采用EUV光刻技術(shù)的先進(jìn)生產(chǎn)線。據(jù)悉，該公司正在轉(zhuǎn)讓現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備，并安裝新的設(shè)備，如EUV光刻系統(tǒng)和清潔車。

　　SK Hynix的總部和工廠（韓國京畿道里川市）全景（來源：SK Hynix）

該報(bào)稱，除了升級(jí)M14晶圓廠的設(shè)備外，還將在即將啟用新晶圓廠的M16晶圓廠安裝ASML EUV光刻系統(tǒng)，由于應(yīng)用EUV光刻技術(shù)的晶圓是M14和M16，SK Hynix將同時(shí)為M14和M16做準(zhǔn)備。雖然EUV光刻設(shè)備本身將安裝在M16，但在EUV上光刻生產(chǎn)的DRAM相信會(huì)通過晶圓廠之間的晶圓傳輸路徑在M14生產(chǎn)。 半導(dǎo)體人士解釋，這種新舊兩條線的準(zhǔn)備方法是公司風(fēng)險(xiǎn)對(duì)策的一部分。

　　該公司表示：“的確，我們正在為使用EUV的DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)做準(zhǔn)備，但目前還沒有宣布具體的生產(chǎn)計(jì)劃。”

　　2020年8月，DRAM競(jìng)爭對(duì)手三星電子宣布在平澤工廠新建的第二座生產(chǎn)線（2號(hào)線）開始生產(chǎn)16 Gbit LPDDR5移動(dòng)DRAM。可以說是SK海力士遵循的形式。

　　由于NAND的3D轉(zhuǎn)換，該過程的微型化已停止，但是由于DRAM尚未轉(zhuǎn)換為3D，因此該過程的微型化是漸進(jìn)的，但仍在繼續(xù)。我們已經(jīng)在10nm范圍內(nèi)研究1X-nm，1Y-nm和1Z-nm的工藝，并且我們相信EUV將在1Z-nm和1A（α）-nm或更晚的世代之后應(yīng)用。

　　順帶一提，之前三星已將EUV應(yīng)用于1Z-nm DRAM，但SK海力士將從2021年起將EUV應(yīng)用于1A-nm DRAM，而非1Z-nm，并將于2022年將EUV應(yīng)用于1B（β）-nm，即第五代10nm DRAM。