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【兩會】重點扶持,扭轉亂象!化合物半導體產業有望迎爆發式增長

2021-03-09
來源:全球半導體觀察
關鍵詞: 兩會 半導體 化合物

  近日,全國兩會在北京召開,針對第三代半導體的發展狀況,全國政協委員王文銀和全國人大代表李飚提出了自己的建議和看法。

  01  

三大現象需深思

  目前第三代半導體行業的觸角延伸到了5G基站、特高壓、城際高鐵交通、新能源充電樁等關鍵領域,處于爆發前夜,前景美好,未來可期,但王文銀在調研過程中發現,這一領域的三大現象仍值得注意:

  第一,錯位

  目前第三代半導體性價比優勢逐漸顯現,但產品開發和市場終端應用存在需求錯位的現象。

  相關機構預測,未來十年全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入將達年均兩位數增長率,到2029年銷售收入將超過50億美元。

  與投入相比,第三代半導體收入較少,卻匯聚了大量資源,且先進入市場的全球巨頭已經建立了自身的朋友圈與護城河,我國行業內高端產品也多為進口;

  第二,擠兌

  當一種新興產業起來后,很容易導致大家在短時間內一擁而上,第三代半導體行業也不例外,產業鏈上下游企業的爆發式增長,容易引發人才及資金的擠兌性風險。

  尤其是人才方面,我國半導體從業人才,尤其是10年以上經驗從業者奇缺,而第三代半導體產業人才培養至少需要3-5年,想要彎道超車,則需要意識到時間的緊迫性,讓有限的人才發揮更大的作用;

  第三、散亂

  在國家政策的加持下,全國各地項目紛紛上馬。據不完全統計,整個2020年有超14個第三代半導體項目及相關產業園簽約落地,總投資額超800億元,涉及7個省份9個地區。

  部分低水平重復建設現象的存在,意味著行政命令對產業鏈的影響大于市場調節,投資轉換效率低,難以滿足產業團戰需求。同時第三代半導體盈利釋放緩慢,需避免產業發展從一擁而上變為一地狼藉,通過規劃引導將地方付出變為真正的產能。

  02   

扭轉亂象 推動第三代半導體產業落地

  第三代半導體是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的重要發展方向,被視作我國半導體產業彎道超車的機會。但在這一過程中存在諸多亂象。

  對此,王文銀建議,要采取果斷措施,并推動我國第三代半導體產業落地。

  重點扶持,協同攻關

  第三代半導體產業涵蓋范圍較廣,可以在國內重點扶植3-5家世界級龍頭企業,加大整個產業鏈條的合作力度。

  從現狀來看,美國的科銳、德國的英飛凌、日本的羅姆三家公司占據了全球SiC市場約70%的份額。就國內而言,四川海威華芯是第三代半導體最成功的典范。我們必須發揮集中力量辦大事的制度優勢,協同龍頭企業攻關,才能形成第三代半導體產業的良性發展格局。

  聚焦市場,搶占高地

  第三代半導體歐美日廠商起步早,呈現三足鼎立的態勢,美國的SiC產量甚至占據了全球70%-80%的市場。

  中國需在產業規劃上做出更大努力,通過研究不斷論證產業的實際發展路徑。

  目前第三代半導體在工業、消費、汽車等領域都有了實際應用,未來可以通過產學研用一體化來探索更多應用場景,不斷創新,探索殺手級應用,同時做大蛋糕,占領市場,徹底將行業的發展由政策驅動轉變為市場驅動。

  腳踏實地,合理規劃

  全球半導體年產值近5000億美金,90%以上來自第一代半導體。第三代半導體部分屬于為了搶占市場的超前投資,我們堅信我國第三代半導體能夠崛起,也不能忽略第一代、第二代半導體所發揮的重要作用。

  從頂層設計入手,合理配置半導體領域資源,聚焦成熟產品,攻關關鍵產品,才能迎來半導體發展的春天。

  03

  重點扶持第三代化合物半導體制造企業

  李飚在《關于支持第三代化合物半導體集成電路國內制造企業的建議》中提到,建議相關部門加大對集成電路制造企業的政策扶持力度;建議國家通過財政、稅收、金融、上市等政策,引導、鼓勵、支持第三代化合物半導體制造企業,從而全面、有效、持續推進核心芯片的國產化進程。

  李飚還建議,在中西部科技裝備產業基礎上,把國內第三代化合物半導體制造企業作為產業發展的核心重點扶持。

  李飚指出,通過良好的產業聚集作用,吸引產業鏈前端的基礎材料和后端的芯片設計及整機廠商到本地發展,可逐步完善第三代化合物半導體生態體系在中西部地區的形成,發展出與北上廣深“硅芯片”集成電路產業不同的“鎵芯片”集成電路產業,也可避免惡性競爭和減少不必要的重復建設,補齊增強國家集成電路產業,完善國家集成電路產業布局,使中國逐步擺脫高端芯片僅能依靠海外廠商流片的局面。

  據悉,四川屬于科技裝備大省依托良好的科技裝備工業基礎,化合物半導體產業生態已在四川形成雛形,在國家大力發展5G、物聯網、人工智能及自主可控的戰略需求下,化合物半導體芯片產業有望迎來爆發式增長。

 

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