昨日，全球領(lǐng)先的MEMS代工企業(yè)賽微電子發(fā)表公告稱，公司于2021 年 4 月 1 日與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》，擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資 10 億元分期建設(shè)聚能國(guó)際 6-8 英寸硅基 氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目。

　　公告進(jìn)一步指出，該項(xiàng)目總占地面積 30 畝，一期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5,000 片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12,000 片/月的生產(chǎn)能力，將為全球 GaN 產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟 的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

　　根據(jù)公告，該項(xiàng)目一期計(jì)劃建設(shè)周期為 9 個(gè)月，2021 年底前做好投產(chǎn)前準(zhǔn)備，2022 年 上半年投入生產(chǎn)，一期產(chǎn)能投產(chǎn)達(dá)效后預(yù)計(jì)可新增年銷售收入 5 億元，利稅 8,000 萬(wàn)元。

　　賽微在公告中表示，公司的GaN（氮化鎵）業(yè)務(wù)市場(chǎng)需求旺盛、自主研制產(chǎn)品性能優(yōu)異，但卻嚴(yán)重受制于外部不可控產(chǎn)能。因此，公司GaN 業(yè)務(wù)的進(jìn)一步發(fā)展急需自主可控產(chǎn)能的 保障。此次公司與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》，共同推進(jìn) 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓制造項(xiàng)目的建設(shè)，將在租賃現(xiàn)成土地廠房的基礎(chǔ)上進(jìn)行適應(yīng)性補(bǔ)充建設(shè)，且已經(jīng)鎖定成套熱線設(shè)備、目標(biāo)是在 2021 年內(nèi)建成并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備，有利 于公司進(jìn)一步完善 GaN 業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈 IDM（垂直整合制造）布局，在現(xiàn)有產(chǎn)業(yè) 鏈合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)能保障，把握 GaN 業(yè)務(wù)發(fā)展的關(guān)鍵機(jī)遇窗口，逐步形 成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的 GaN 材料、設(shè)計(jì)、制造能力，促進(jìn)公司第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。

　　截至目前，賽微已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯 微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微 波器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)；已于 2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青 島）半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延 材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期） 已于 2019 年 9 月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。作為公司 GaN 業(yè)務(wù)一級(jí)平臺(tái)公司， 聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領(lǐng)先團(tuán)隊(duì)，擁有第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、工藝制造、器件設(shè) 計(jì)等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)能力及儲(chǔ)備，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)批量銷售。

　　公司本次與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》，擬在青州市建設(shè) 6-8 英寸硅 基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，若項(xiàng)目順利建成，將有助于公司進(jìn)一步完善 GaN 業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握 GaN 業(yè)務(wù)發(fā)展的關(guān)鍵機(jī)遇窗口，逐步形成自主可 控的生產(chǎn)制造能力，促進(jìn)公司相關(guān)業(yè)務(wù)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展，有利于提高公司的綜合競(jìng)爭(zhēng) 實(shí)力，將對(duì)公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生積極影響。