中國臺灣相關部門昨舉行院會由科技會報辦公室報告「美中科技戰(zhàn)下臺灣半導體前瞻科研及人才布局」，蘇貞昌昨表示，需提早布局擴大臺灣產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢；行政院科會辦說，將提前布局十二吋晶圓制造的利基設備，期望在2023年前，生產(chǎn)小于一納米的半導體，也要掌握關鍵化學品自主、確保材料優(yōu)化參數(shù)不外流，并建立在地戰(zhàn)略供應鏈。

　　政府發(fā)言人羅秉成會后轉(zhuǎn)述指出，蘇貞昌表示，臺灣早已成為全球第一的半導體聚落，未來要如何維持及擴大供應鏈優(yōu)勢、確保產(chǎn)業(yè)人才供應無虞，都需提早布局。

　　以臺積、日月光為核心打造南部半導體S廊帶

　　美中貿(mào)易沖突升溫，為強化、維持臺灣半導體優(yōu)勢，行政院科技會報辦公室昨（15）日表示，將朝「設備」及「材料」兩方向著手，協(xié)助臺灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設備，并正在規(guī)劃推動高雄半導體材料專區(qū)，以建立南部半導體材料「S」廊帶。

　　美中貿(mào)易戰(zhàn)、科技戰(zhàn)持續(xù)升溫，在車用芯片荒后，美國政府更加重視半導體產(chǎn)業(yè)；美國總統(tǒng)拜登執(zhí)政后，前聯(lián)邦參議員陶德率團訪臺，昨日會見臺灣地區(qū)領導人，提及要加強臺美多方合作。而行政院會昨天也特別安排科會辦就「美中科技戰(zhàn)下臺灣半導體前瞻科研及人才布局」進行報告。

　　科會辦指出，近來半導體產(chǎn)業(yè)從材料、設備、技術、芯片及產(chǎn)能都已成國際競合焦點；美國擬以500億美元扶植芯片制造業(yè)、限制半導體技術與設備輸往中國大陸；大陸也不甘示弱宣布投入第三代半導體研發(fā)；歐盟則有意搶進芯片制造市場等。

　　2030年半導體世代為超摩爾定律時代，IC應用邁向多元化與極致效能，更進一步跨向「 （埃）尺度」（1nm）。

　　科會辦表示，臺灣要從制造、人才、技術與資源三方向突圍，擴大臺灣半導體供應鏈優(yōu)勢。

　　在產(chǎn)業(yè)層級，政府將持續(xù)壯大串聯(lián)西部硅谷帶半導體產(chǎn)業(yè)聚落，擴大代工制造競爭優(yōu)勢；國家層級，要確保半導體人才供應，例如透過「創(chuàng)新條例」立法，催生半導體學院；全球?qū)蛹墸瑒t透過設備及材料兩方向，掌握戰(zhàn)略資源與技術。

　　在設備面，要協(xié)助臺灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設備，朝向化合物半導體發(fā)展，盼在2030年之前能生產(chǎn)「埃」尺度半導體；于材料面，掌握關鍵化學品自主、確保材料優(yōu)化參數(shù)不外流，并建立在地戰(zhàn)略供應鏈。

　　材料方面，則規(guī)劃推動高雄半導體材料專區(qū)，要串連南科、路竹、橋頭、楠梓、大社、仁武、大寮、林園、小港（大林埔）等園區(qū)，以臺積電、日月光、華邦、穩(wěn)懋等半導體廠為核心，建立南部半導體材料「S」廊帶。

　　科會辦表示，科技部也逐步更新科學園區(qū)標準廠及開發(fā)新設園區(qū)，例如今年起至2035年，投入272.57億元經(jīng)費更新竹科第三至五期標準廠房。

　　預期效益，包括廠房單元數(shù)可從88提升至196單元，總樓地板面積從5.3萬多平方公尺擴增至36.6萬多平方公尺，預計可引進5,848就業(yè)人口、創(chuàng)造年產(chǎn)值411.82億元。