中國臺灣相關部門昨舉行院會由科技會報辦公室報告「美中科技戰下臺灣半導體前瞻科研及人才布局」，蘇貞昌昨表示，需提早布局擴大臺灣產業優勢；行政院科會辦說，將提前布局十二吋晶圓制造的利基設備，期望在2023年前，生產小于一納米的半導體，也要掌握關鍵化學品自主、確保材料優化參數不外流，并建立在地戰略供應鏈。

　　政府發言人羅秉成會后轉述指出，蘇貞昌表示，臺灣早已成為全球第一的半導體聚落，未來要如何維持及擴大供應鏈優勢、確保產業人才供應無虞，都需提早布局。

　　以臺積、日月光為核心打造南部半導體S廊帶

　　美中貿易沖突升溫，為強化、維持臺灣半導體優勢，行政院科技會報辦公室昨（15）日表示，將朝「設備」及「材料」兩方向著手，協助臺灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設備，并正在規劃推動高雄半導體材料專區，以建立南部半導體材料「S」廊帶。

　　美中貿易戰、科技戰持續升溫，在車用芯片荒后，美國政府更加重視半導體產業；美國總統拜登執政后，前聯邦參議員陶德率團訪臺，昨日會見臺灣地區領導人，提及要加強臺美多方合作。而行政院會昨天也特別安排科會辦就「美中科技戰下臺灣半導體前瞻科研及人才布局」進行報告。

　　科會辦指出，近來半導體產業從材料、設備、技術、芯片及產能都已成國際競合焦點；美國擬以500億美元扶植芯片制造業、限制半導體技術與設備輸往中國大陸；大陸也不甘示弱宣布投入第三代半導體研發；歐盟則有意搶進芯片制造市場等。

　　2030年半導體世代為超摩爾定律時代，IC應用邁向多元化與極致效能，更進一步跨向「 （埃）尺度」（1nm）。

　　科會辦表示，臺灣要從制造、人才、技術與資源三方向突圍，擴大臺灣半導體供應鏈優勢。

　　在產業層級，政府將持續壯大串聯西部硅谷帶半導體產業聚落，擴大代工制造競爭優勢；國家層級，要確保半導體人才供應，例如透過「創新條例」立法，催生半導體學院；全球層級，則透過設備及材料兩方向，掌握戰略資源與技術。

　　在設備面，要協助臺灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設備，朝向化合物半導體發展，盼在2030年之前能生產「埃」尺度半導體；于材料面，掌握關鍵化學品自主、確保材料優化參數不外流，并建立在地戰略供應鏈。

　　材料方面，則規劃推動高雄半導體材料專區，要串連南科、路竹、橋頭、楠梓、大社、仁武、大寮、林園、小港（大林埔）等園區，以臺積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠為核心，建立南部半導體材料「S」廊帶。

　　科會辦表示，科技部也逐步更新科學園區標準廠及開發新設園區，例如今年起至2035年，投入272.57億元經費更新竹科第三至五期標準廠房。

　　預期效益，包括廠房單元數可從88提升至196單元，總樓地板面積從5.3萬多平方公尺擴增至36.6萬多平方公尺，預計可引進5,848就業人口、創造年產值411.82億元。