中國，2021年4月14日——意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。
作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了復雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導體的應用設計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。
GaN晶體管開關性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設計更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。
4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。
作為這次產品發布的一部分，意法半導體還推出一個MasterGaN4原型開發板(EVALMASTERGAN4)。這塊評估板提供使用單一或互補信號驅動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調的死區時間發生器。用戶可以靈活地施加一個單獨輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設計峰值電流模式拓撲。
MasterGaN4現已投產，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。