6月1日，南大光電發(fā)布公告稱，公司控股子公司寧波南大光電材料有限公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術節(jié)點的產(chǎn)品上取得了認證突破。

　　認證評估結果顯示，本次認證系選擇客戶55nm技術節(jié)點邏輯芯片產(chǎn)品的工藝進行驗證，寧波南大光電研發(fā)的ArF光刻膠的測試良率結果符合要求，表明其具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

　　據(jù)披露，ArF光刻膠材料是集成電路制造領域的重要關鍵材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技術節(jié)點的集成電路制造工藝。廣泛應用于高端芯片制造（如邏輯芯片、存儲芯片、AI芯片、5G芯片和云計算芯片等）。

　　ArF光刻膠的市場前景好于預期。隨著國內(nèi)IC行業(yè)的快速發(fā)展，自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快，以及先進制程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。

　　南大光電指出，ArF光刻膠產(chǎn)品與本次認證通過的客戶之間的產(chǎn)品銷售與服務協(xié)議尚在協(xié)商之中。ArF光刻膠的復雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風險，不僅需要技術攻關，還需要在應用中進行工藝的改進、完善，這些都會決定ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟效益。