C114訊 北京時間6月9日消息(艾斯)三星官網(wǎng)今日發(fā)布消息稱,該公司已推出了基于8納米工藝的最新射頻技術(shù)。

三星表示,這一先進的工藝技術(shù)有望提供專門用于支持多通道和多天線芯片設(shè)計的5G通信“單芯片解決方案”。三星的8納米射頻平臺將把該公司在5G半導體市場的領(lǐng)導地位從Sub-6GHz頻段擴展至毫米波應(yīng)用。

三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關(guān)解決方案的最新補充。自2017年以來,三星為高端智能手機出貨了超過5億顆移動終端射頻芯片。

“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造,我們加強了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。”三星電子代工技術(shù)開發(fā)團隊主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴展,對于那些在緊湊型移動終端上尋求實現(xiàn)更長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶來說,三星8納米射頻將成為一個很好的解決方案。”

隨著向先進節(jié)點的不斷擴展,數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著改善,而模擬/射頻模塊由于退化寄生效應(yīng)(例如窄線寬引起的電阻增加)而沒有得到這種改善。因此,大多數(shù)通信芯片趨向于出現(xiàn)射頻特性退化,例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。

為了克服模擬/射頻擴展方面的挑戰(zhàn),三星開發(fā)了一種獨特的8納米射頻專用架構(gòu),名為RFextremeFET (RFeFET),可以顯著改善射頻特性,同時降低功耗。與14納米射頻相比,三星的RFeFET補充了數(shù)字PPA擴展,同時恢復了模擬/射頻擴展,從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。

三星在新聞稿中寫道,三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動性,同時最大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能大幅提升,射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實現(xiàn)減小。與14納米射頻相比,由于采用RFeFET架構(gòu)創(chuàng)新,三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%,而射頻芯片面積減少了35%。