6月11日，東芝電子器件與存儲株式會社（東芝）和日本半導(dǎo)體株式會社（日本半導(dǎo)體）共同展示了一種改進方法，可提高高壓橫向雙擴散MOS （Laterally Double Diffused MOS，LDMOS）的可靠性和性能。其中，LDMOS是在電機控制驅(qū)動程序等大量汽車應(yīng)用中使用的模擬IC的核心組件。隨著車輛電氣化的不斷發(fā)展，包括更廣泛地部署高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS），東芝和日本半導(dǎo)體將能夠根據(jù)所需電壓提供改進的LDMOS單元設(shè)計。

　　（圖片來源：東芝）

　　眾所周知，設(shè)計LDMOS時經(jīng)常需要在可靠性和性能間進行取舍。橫向寄生雙極效應(yīng)通常會降低人體模型（HBM）容差。而通過增加背柵比（backgate ratio）抑制橫向寄生雙極效應(yīng)，HBM測量的靜電放電（ESD）的容差會得到改善。然而，增加背柵比也會增加導(dǎo)通電阻，從而降低性能。截至目前，LDMOS設(shè)計人員仍然必須在HBM容差與更高的導(dǎo)通電阻之間取得平衡。

　　東芝和日本半導(dǎo)體對LDMOS中的HBM容差進行了評估，發(fā)現(xiàn)即使背柵比增加，在80V以上時容差也沒有增加。他們發(fā)現(xiàn)這是因為在2D TCAD模擬中，垂直寄生雙極效應(yīng)與橫向寄生雙極效應(yīng)一起出現(xiàn)，使設(shè)計人員在設(shè)置HBM和背柵比參數(shù)時具有更大的自由度。

　　東芝公司開發(fā)出一種技術(shù)，可優(yōu)化除了背柵比（背柵的總寬度與源和背柵的總寬度之比）之外的單元設(shè)計參數(shù)。而將該技術(shù)與此次的發(fā)現(xiàn)相結(jié)合，東芝和日本半導(dǎo)體提出一種改善HBM容差并抑制80V及更高LDMOS導(dǎo)通電阻的方法，從而使得LDMOS可具有HBM容差，且不依賴背柵比。該方法可應(yīng)用于發(fā)動機、轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等其他汽車系統(tǒng)中，將有助于提高可靠性和功率效率。

　　東芝擁有適用于各種應(yīng)用、各種電壓的LDMOS廣泛產(chǎn)品陣容，并且正在開發(fā)可集成嵌入式非易失性存儲器（eNVM）和高壓模擬IC的第五代工藝技術(shù)。東芝和日本半導(dǎo)體致力于半導(dǎo)體工藝研發(fā)，為低功耗和高可靠性做出貢獻。

　　來源：蓋世汽車

　　作者：劉麗婷