內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU） 今日宣布，公司已開始批量出貨全球首款基于 176 層 NAND 技術(shù)的通用閃存 UFS 3.1 移動解決方案。該產(chǎn)品為高端旗艦手機量身打造，與前代產(chǎn)品相比可實現(xiàn)高達(dá) 75% 的順序?qū)懭牒碗S機讀取性能提升[ 所有數(shù)據(jù)均基于與美光上一代 96 層 UFS 3.1 存儲設(shè)備對比]，從而解鎖 5G 潛力 — 只需 9.6 秒即可下載一部 2 小時的 4K 電影[ 假設(shè)每部電影的文件大小為 14GB]。
美光 176 層 NAND 的緊湊尺寸，完美契合移動設(shè)備的大容量和小體積需求。此前，美光于 6 月宣布已出貨搭載 176 層 NAND 的 PCIe 4.0 固態(tài)硬盤，為專業(yè)工作站和超薄筆記本提供高性能、低功耗的靈活設(shè)計選擇。如今，美光將開創(chuàng)業(yè)界先河的前沿 NAND 技術(shù)和性能成功應(yīng)用于智能手機，帶來更快的手機響應(yīng)體驗，實現(xiàn)應(yīng)用程序之間真正的多任務(wù)處理。
美光移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 表示：“5G 通信技術(shù)能將移動設(shè)備的傳輸速率提升至數(shù)個 Gb 的級別，但這種超快移動體驗必須具備高性能硬件基礎(chǔ)。美光的 176 層 NAND 實現(xiàn)了技術(shù)突破，為智能手機提供無與倫比的性能，使消費者能輕松快捷地在移動端體驗豐富的多媒體內(nèi)容。”
美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的混合工作負(fù)載性能相比上一代產(chǎn)品提升了 15%，使手機啟動和切換應(yīng)用的速度更快，從而打造更為流暢的移動體驗。美光將 176 層 NAND 技術(shù)應(yīng)用于 UFS 3.1，克服了存儲瓶頸，使手機用戶盡享 5G 高速通信。
榮耀終端有限公司產(chǎn)品線總裁方飛表示：“榮耀全能旗艦 Magic3 系列將率先搭載美光推出的業(yè)界首款 176 層 NAND 技術(shù) UFS 3.1。該款高性能 3D NAND 解決方案將為榮耀手機用戶在同時多應(yīng)用使用，以及高速下載、存儲等場景帶來快捷流暢的使用體驗。”
美光 176 層移動解決方案具有以下優(yōu)勢：
更強的性能：美光 176 層 UFS 3.1 解決方案相比上一代產(chǎn)品的順序?qū)懭胨俣忍嵘?75%，隨機讀取速度提升 70%，大幅提升應(yīng)用性能。
更快的下載速度：高達(dá) 1,500 MB/秒的順序?qū)懭胨俣纫馕吨螺d一部 10 分鐘的 4K （2,160 像素分辨率） 網(wǎng)絡(luò)視頻只需 0.7 秒[ 假設(shè)視頻文件大小為 1GB]，而下載一部 2 小時的 4K 電影只需 9.6 秒。
更流暢的移動體驗：與上一代產(chǎn)品相比，美光 176 層 UFS 3.1 解決方案的優(yōu)秀性能將響應(yīng)延遲縮短約 10%，確保了更可靠的移動體驗。
更持久的設(shè)備壽命：美光 176 層移動解決方案可寫入的總字節(jié)數(shù)比上一代產(chǎn)品高出一倍[ 數(shù)據(jù)基于美光上一代浮動?xùn)艠O 96 層 NAND 的 UFS 3.1 對比禁用了 WriteBooster 寫入加速的 176 層 NAND 產(chǎn)品], 這意味著可存儲之前兩倍的總數(shù)據(jù)量，而不會損害設(shè)備的可靠性。即使是重度手機用戶，也會發(fā)現(xiàn)智能手機的使用壽命大幅提升。
美光 176 層 UFS 3.1 移動解決方案供貨
基于美光 176 層分立式 NAND 的 UFS 3.1 移動解決方案現(xiàn)已公開出貨，提供 128GB、256GB 和 512GB 三種容量。
