8月26日，賽微電子公布了最新的投資者關(guān)系活動記錄表。記錄表中，賽微電子介紹了公司MEMS芯片晶圓價(jià)格的變化趨勢以及在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方面的布局情況。

　　賽微電子披露，近年來，公司MEMS工藝開發(fā)與晶圓代工產(chǎn)能一直比較緊張，訂單排期較長，從芯片晶圓單價(jià)的計(jì)算結(jié)果來看，近幾年單片晶圓價(jià)格的上漲是持續(xù)且快速的，2017-2020年，公司MEMS晶圓的平均售價(jià)分別約為1700美元/片、1800美元/片、2200美元/片及2700美元/片，2021年上半年平均售價(jià)上漲至約為3600美元/片。

　　氮化鎵布局方面，賽微電子表示，公司首先瞄準(zhǔn)的是快充市場，并且已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量生產(chǎn)，與知名電源、家電及通訊企業(yè)展開合作，進(jìn)行芯片系統(tǒng)級驗(yàn)證和測試，開始簽訂GaN芯片的批量銷售合同并陸續(xù)交付。

　　具體而言，在GaN外延片方面，賽微電子已建成的6-8英寸GaN外延材料制造項(xiàng)目（一期）的產(chǎn)能為1萬片/年，目前已簽訂千萬級銷售合同并根據(jù)商業(yè)條款安排生產(chǎn)及交付。GaN器件設(shè)計(jì)方面，賽微電子已對外簽訂了批量流片合同，努力緩解產(chǎn)能瓶頸問題。

　　此外，賽微電子GaN業(yè)務(wù)子公司聚能創(chuàng)芯正參股投資設(shè)立青州聚能國際半導(dǎo)體制造有限公司，目標(biāo)是在2021年內(nèi)建成GaN產(chǎn)線并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備，以盡快推動產(chǎn)能建設(shè)，完善IDM布局，進(jìn)一步形成自主可控、全本土化、可持續(xù)拓展的GaN材料、設(shè)計(jì)及制造能力。