問題：
如何在電路仿真中考慮多層陶瓷電容器(MLCC)的直流偏置影響？
答案：
使用LTspice的非線性電容功能和合理的模型。
本文說明如何使用LTspice?仿真來解釋由于使用外殼尺寸越來越小的陶瓷電容器而引起的電壓依賴性（或直流偏置）影響。尺寸越來越小、功能越來越多、電流消耗越來越低，為滿足這些需求，必須對元件（包括MLCC）的尺寸加以限制。因此，電壓依賴性或直流偏置的影響也受到關注。
要實現(xiàn)陶瓷電容器的微型化，就必須在越來越小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的電容值。為此，具有高介電常數(shù)(ε)和越來越薄的介電絕緣層的材料正在被實現(xiàn)，這使得現(xiàn)在有可能在工業(yè)級規(guī)模上生產(chǎn)高質(zhì)量的陶瓷層。
遺憾的是，介電常數(shù)εr = ?()是電場強度的函數(shù)，因此電容表現(xiàn)出電壓依賴性。根據(jù)陶瓷類型和層厚度，這種影響可以非常顯著。在最大允許電壓下，電容下降到標稱值的10％以下并不罕見。
在將恒定電壓作用于MLCC的應用中（例如去耦電容），很容易考慮此影響。只要電壓保持恒定，就可以從制造商提供的數(shù)據(jù)手冊或在線工具中獲取剩余電容值。
但是，對于電壓可變的情況該怎么辦？例如在圖4中，開關穩(wěn)壓器上的輸入濾波器采用5 V USB電源至24 V工業(yè)電源供電。另一個例子是，2線以太網(wǎng)PHY與相同線路上不同電壓值的電源交流耦合。
在此類情況下，使用LTspice進行電路仿真可提供有用的洞察。有些MLCC制造商已經(jīng)提供了相應的直流偏置模型供下載。此外，LTspice提供了模仿電壓依賴行為的方法及實施工具。對此，電容與電壓關系的曲線及圖3中描述的方法之一很有用。
LTspice提供了一個眾所周知的具有恒定電容的電容模型以及一個非線性模型。該非線性模型用于求解電荷方程。由于需要保留電荷，直接求解非線性電容模型是不合適的。但在這里，這不應該是問題，因為電容是通過電荷對電壓微分來獲得的。反過來，必須對電壓相關電容進行積分。這已經(jīng)針對如下方法完成，因此無需任何數(shù)學知識便可使用這些模型。
作者簡介
Reiner Bidenbach是中歐地區(qū)現(xiàn)場應用工程師。他于2010年加入ADI公司，擁有14年的模擬IC設計經(jīng)驗。Reiner于1996年畢業(yè)于德國烏爾姆大學，獲電氣工程特許工程師文憑。
