近年來國內科技迎來飛速發(fā)展，但看似繁榮昌盛的背后，也隱藏了諸多的隱患，困擾我們許久的“缺芯少魂”問題，至今都未能很好的解決，和老美之間的科技競爭，已經被擺上了臺面。
中國工業(yè)起步較晚，也導致了在半導體領域基礎不穩(wěn)固，導致最先進的制程工藝卡在了14nm上，而且還要高度依賴于海外的技術，而華為之前就是太過于相信“科技無國界”，導致吃了大虧。
華為有能力設計出尖端的5nm芯片，但憑借著國內工藝根本制造不出來，未能展開全產業(yè)鏈的布局，也導致先進的技術無用武之地，好在華為已經習慣了“技術創(chuàng)新”，并沒有因此而陷入困境當中。
說白了現(xiàn)階段的科技競爭，就是搭載在芯片工藝基礎上的，誰能夠獲取更為先進的芯片，就能夠在未來掌控全局，目前國內的企業(yè)也在芯片領域，展開了全面的沖刺，好消息也不斷的傳了出來。
提到先進的芯片制造，不得不提的就是EUV光刻機了，ASML作為全球唯一的廠商，在設備進出口上，已經遭到了老美的嚴格管控，無法獲取先進的光刻機，也讓國內芯片產業(yè)停滯不前。
而如今老美意在重塑本土半導體產業(yè)，因此短期之內放開EUV光刻機供應，基本上是不存在任何的可能性的，原因就在于ASML也只是組裝廠，光刻機是集結了來自全球20多個國家的尖端產物。
在老美的相關限制下，反而加速了華為的成長，5G技術更加的精進，坐穩(wěn)了領頭羊的位置，在技術上至少領先了歐美2-3年，除了在5G領域的成就之外，我國在航空航天等等領域上，也都實現(xiàn)了趕超。
為了追趕臺積電，很顯然三星也在努力的采購ASML的最新一代光刻機，而花費也是巨大的。
據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子和ASML就引進今年生產的EUV光刻機和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光High-NA EUV光刻機達成采購協(xié)議。
High-NA EUV光刻機精密度更高、設計零件更多，是延續(xù)摩爾定律的關鍵，推動2nm以下制程，估計每臺要價4億美元。
ASML今年只能生產50臺EUV設備，交貨周期為1年6個月，ASML有限的生產能力和較長的交貨時間正加劇各大晶圓代工廠訂購 High-NA EUV光刻機的競爭。
在這之前， Intel已率先與ASML采購5臺這款新設備，還宣稱2024年初就能生產2nm、2024 年下半更能生產1.8nm。臺積電稱會在2024年擁有ASML次世代最先進的光刻機。
有消息人士透露，三星電子已獲得ASML今年EUV光刻機產能中的18臺。這意味三星僅在EUV光刻機上就將投資超過4兆韓元。
新建光的刻機制造的車間，ASML已正式做了決定
ASML是世界上最好的光刻機供應商，他們的DUV光刻機和EUV光刻機，已經占據(jù)了中、高端的市場。
而EUV光刻機的出現(xiàn)，讓臺積電、三星、英特爾等公司，都在采購EUV光刻機，但因為產能的限制，三星等公司的EUV光刻機，也出現(xiàn)了嚴重的短缺。
據(jù)報道，三星公司很早以前就表示，希望ASML公司可以為其生產更多的EUV光刻機和其他設備，同時也想要優(yōu)先采購新一代的光刻機。
ASML公司在韓國建立了EUV光刻機的生產基地，以滿足EUV光刻機的生產需求，并將EUV光刻機交給三星等公司。
緊接著ASML宣布，將擴大EUV光刻機等設備的生產規(guī)模，在2022年、2023年完成115部EUV光刻機的生產，加快NAEUV光刻機的研發(fā)。
現(xiàn)在ASML已經下定決心，要建立一條新的光刻機生產線，讓光刻機的產能更上一層樓。
ASML公司的官方信息顯示，新加坡的第二個生產車間將會在2023年初投入生產。
擴建后，新加坡光刻機的產能將翻三番，而全球產能也將翻一番。
ASML之所以會在新加坡擴大產能，建造新的光刻機，也是有原因的。
首先，對光刻機的需求量，已經越來越大了。
由于全球缺芯，各大晶圓廠紛紛加大產能，三星將投入2000億美金擴大生產規(guī)模，而臺積電、英特爾等公司則打算投入1000億美金擴大生產規(guī)模。
就連中芯國際、格芯、聯(lián)電等芯片代工企業(yè)，也都開始擴充自己的芯片生產規(guī)模，而三星、SK、海力士、美光等公司，都在不斷地提高自己的生產技術，對光刻機的需求量也越來越大。
此外，ASML公司還透露，由于全球缺芯，導致了各個大型晶圓廠的產能擴張，擴大生產所需的光刻機和其他設備，在接下來的兩年里，都會有大量的缺貨。
這也是ASML公司不斷擴充其能力的一個重要因素。
其次，亞洲是ASML最大的市場。
ASML公司的總部位于荷蘭，但是ASML公司是一家全球性的公司，它的研發(fā)和生產，涉及到了40多個國家和地區(qū)。
而ASML的生產基地遍布世界各地，荷蘭，德國，美國，新加波，更是遍布世界各地。
但從市場角度看，ASML最大的市場是亞洲，它的主要依靠中國、韓國，單是中韓兩國的芯片公司每年就為ASML帶來超過130億歐元的收入。
用于生產 2nm 芯片的 ASML 新款光刻機預計在 2025 年首次投入使用，對芯片廠商而言，“2nm 工藝戰(zhàn)”已經打響。
對于芯片廠商而言，要想發(fā)展先進制程，光刻機是關鍵設備。而從工藝技術和制造成本綜合因素考量，EUV 光刻機(極紫外光刻)被普遍認為是 7nm 及以下工藝節(jié)點的最佳選擇。目前，在全球范圍內僅有荷蘭的 ASML 公司能供應 EUV 光刻機。
據(jù)介紹，ASML 的 EUV 光刻技術使用 13.5 nm 的波長(幾乎是 X 射線范圍)，在微芯片上形成精細的線條。用于大批量制造，以創(chuàng)建先進的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 節(jié)點)高度復雜的基礎層，并支持新穎的晶體管設計和芯片架構。
日前，在 2022 SPIE 高級光刻會議上，ASML 介紹了 EUV 的最新進展。
根據(jù) ASML 最新消息，新款 EUV 光刻機正在研發(fā)中，NA 將從 0.33 增加到 0.55(NA 是光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，表示光線的入射角度)，2nm 工藝的芯片都將依賴其實現(xiàn)。
為什么要沖刺高 NA EUV 光刻機?
光刻系統(tǒng)所能達到的分辨率是光刻收縮的主要驅動因素之一，它主要由所用光的波長和光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑決定。更短的波長可以打印出更小的特征;更大的數(shù)值孔徑可以更緊密地聚焦光線，也能夠帶來更好的分辨率。
ASML 光刻系統(tǒng)的發(fā)展一直是通過減少波長和增加數(shù)值孔徑來進行演進。
目前，ASML 的主力產品是 0.33NA EUV 光刻機，并正在大批量生產中。對于 0.33 NA 系統(tǒng)，ASML 正致力于通過增加吞吐量和降低總能量來減少每次曝光所需的能量。
在發(fā)力 0.33 NA EUV 光刻機的同時，ASML 也在沖刺研發(fā) 0.55 NA EUV 光刻機。
