在半導體等先進技術領域，美國頻繁用行政手段干預正常的市場競爭。前幾天，拜登剛簽署了2800億美元的芯片法案，限制半導體巨頭們對華投資，轉眼美國商務部又對幾項新技術進行出口管制。

　　當地時間8月12日，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布公告，稱出于國家安全考慮，將四項“新興和基礎技術”納入新的出口管制。這四項技術分別是：能承受高溫高電壓的第四代半導體材料氧化鎵和金剛石；專門用于3nm及以下芯片設計的ECAD軟件；可用于火箭和高超音速系統(tǒng)的壓力增益燃燒技術。

　　盡管BIS并沒有直接提到中國，但匯業(yè)律師事務所高級合伙人楊杰向觀察者網指出，中國現在屬于被美國列為國家安全管控的國家之一，只要技術和物項被美國政府列入出口管制目錄，大概率就會對中國的出口設置限制，比如美國企業(yè)對華出口需要許可證等，這實際上會造成中美在半導體領域里進一步脫鉤。

　　圖源：BIS

　　美國商務部副部長艾倫?埃斯特韋斯（Alan Estevez）在公告中宣稱，美國進行出口管制是為了讓“全球各地的公司能在一個公平的競爭環(huán)境中運行”。他提到，科技進步使得半導體和發(fā)動機等技術運行的更快、更高效和更耐用，甚至可以在更惡劣的條件下運作，這可能使它們成為商業(yè)和軍事領域“游戲規(guī)則”的改變者。

　　BIS在公告中聲稱，將四項支持生產先進半導體和燃氣渦輪發(fā)動機的技術納入出口管制，是《瓦森納協(xié)定》42個參與國在2021年12月全體會議上達成一致的結果。此外，美國還在管控更多的技術，包括用于半導體生產的設備、軟件和技術，這些管控已超出《瓦森納協(xié)定》中商定的項目。

　　盡管美國打著42個國家的旗號，但俄羅斯衛(wèi)星網等外媒早就揭露過，《瓦森納協(xié)定》實際上完全受美國控制。當協(xié)定中的某一國家擬向中國出口某項高新技術時，美國甚至直接出面干涉。如捷克擬向中國出口“無源雷達設備”時，美國便向捷克施加壓力，迫使捷克停止這項交易。

　　“出口管制是美國在與他國競爭過程中的一種手段，”楊杰向觀察者網指出，考慮到中國正加大力度投資半導體，美國為了維持自身優(yōu)勢，正想法設法阻礙中國半導體產業(yè)的發(fā)展速度。

　　對于美國動不動就使用制裁大棒的做法，國外學者曾撰文抨擊，如果美國想要保持其在電子行業(yè)的世界領導者地位，可以加大力度投資未來的技術知識，進而與中國相匹敵。那么，美國為什么要走制裁路線呢？因為制裁更容易實施，建立一個重視知識的社會更困難。這是晚期資本主義的病態(tài)。

　　在公告中，BIS介紹了四項最新被管制技術的詳細信息（觀察者網有所補充）。

　　氧化鎵（Gallium Oxide，Ga2O3）和金剛石（diamond）

　　BIS公告稱，氧化鎵和金剛石是可以在更惡劣條件下工作的半導體材料，能承受更高的電壓或更高的溫度，采用這些材料生產出來的設備具備更高的軍事潛力。

　　按照材料性質劃分，半導體襯底目前大致可劃分為四代：

　　第一代以硅（Si）、鍺（Ge），為代表，主要應用于低壓、低頻、低功率的部分功率器件、集成電路；

　　第二代以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等為代表，被廣泛應用于光電子和微電子領域；

　　第三代以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體為代表，在介電常數、導熱率及工作溫度等方面具有顯著優(yōu)勢，目前已逐步應用在5G通信、新能源汽車、光伏等領域；

　　氧化鎵、金剛石等被視為第四代半導體材料。

　　北京科技大學教授李成明曾介紹，氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.25eV和氮化鎵的3.4eV，確保了其抗輻照和抗高溫能力，可以在高低溫、強輻射等極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性質；而其高擊穿場強的特性則確保了制備的氧化鎵器件可以在超高電壓下使用，有利于提高載流子收集效率。

　　從市場調查公司富士經濟2019年6月對寬禁帶功率半導體元件的全球市場預測來看，2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元（約人民幣92.8億元），這個市場規(guī)模甚至超過氮化鎵功率元件的規(guī)模（1085億日元，約人民幣65.1億元）。

　　目前，針對氧化鎵展開研究的各大企業(yè)、高校和研究所都對氧化鎵的性能寄予厚望，但距離真正實際應用還需要解決很多關鍵的瓶頸問題。研發(fā)上遇到的障礙主要有兩方面，一是大尺寸高質量單晶的制作，目前僅有日企研發(fā)出6英寸單晶，但還未實現批量供貨。二是氧化鎵材料大功率、高效率電子器件還處于實驗室階段的研發(fā)，在大規(guī)模實際應用方面還有欠缺。

　　中國科技部今年已將氧化鎵列入“十四五重點研發(fā)計劃”。而美國目前正從前沿軍事技術布局的角度大力發(fā)展氧化鎵材料。美國空軍研究實驗室、美國海軍實驗室和美國宇航局，積極尋求與美國高校和全球企業(yè)合作，開發(fā)耐更高電壓、尺寸更小、更耐輻射的氧化鎵功率器件。

　　需要指出的是，盡管在半導體襯底材料中有代際劃分的說法，但并不能籠統(tǒng)地認為“后一代優(yōu)于前一代”。第二代、第三代半導體并不能取代第一代半導體，而是根據不同材料的特性，在不同領域應用。

　　電子計算機輔助設計軟件（Electronic Computer-Aided Design，ECAD）

　　ECAD是一類用于設計、分析、優(yōu)化和驗證集成電路或印刷電路板性能的軟件工具。

　　BIS公告稱，此次被納入管制范圍ECAD軟件，是專門被用于開發(fā)具有全柵極場效應晶體管 (GAAFET) 結構集成電路的軟件。

　　GAAFET晶體管結構是實現3nm及以下技術節(jié)點的關鍵。該技術使生產更快、更節(jié)能、更耐輻射的集成電路成為可能，可以用于推進許多商業(yè)和軍事應用，包括國防和通信衛(wèi)星。

　　今年6月，三星已使用GAAFET技術量產3nm制程芯片，尚未公布具體客戶名單。而臺積電已宣布，3nm制程仍將采用FinFET晶體管結構，最早到2nm制程時才會使用GAAFET結構。

　　曾有半導體行業(yè)媒體撰文指出，采用GAAFET晶體管結構制造的芯片，性能有望提升25%，功耗降低50%。而使用FinFET結構，性能和功耗的改善大致都在15%到20%的范圍內。但兩種技術的難度和成本應該并不相同。

　　元達律師事務所資深顧問詹凱向觀察者網指出，用于開發(fā)GAAFET晶體管結構的ECAD軟件將被美國添加到新的出口管制分類編號3D006下的商業(yè)管制清單（CCL）中。對于在NS列中帶有“X”的國家/地區(qū)，出于國家安全 (NS) 和反恐 (AT) 的原因，這將需要出口許可證，包括中國也屬于受限國家。

　　他認為，美國嚴格限制EDA領域是比較困難的，這將給當前已經面臨嚴重不確定性的半導體產業(yè)帶來巨大傷害。本次美國采取的臨時禁令和之前判斷一致，主要針對的是“3nm及以下”先進制程的ECAD，而不是全產品線和產業(yè)鏈均需要使用的EAD產品。從這個角度看，美方“小院高墻”的出口管制政策并沒有改變。

　　目前，國內已涌現出華大九天、廣立微、概倫電子、芯和半導體等多家EDA廠商。但被視為國產EDA龍頭的華大九天去年曾在招股書中透露，該公司既有模擬電路設計及驗證工具尚不支持16nm及以下先進工藝設計。

　　圖源：華大九天招股書

　　壓力增益燃燒技術（Pressure Gain Combustion，PGC）

　　BIS公告稱，壓力增益燃燒技術在陸地和航空航天領域具有廣泛的應用潛力，涉及應用包括火箭和高超音速系統(tǒng)等。2020年，美國國家科學院曾把壓力增益燃燒等技術列入先進燃氣輪機十大優(yōu)先研究領域。該技術利用多種物理現象，包括共振脈沖燃燒、定容燃燒和爆震，導致穿過燃燒器的有效壓力上升，而消耗的燃燒量相同，有潛力把燃氣渦輪發(fā)動機效率提高10%以上。不過，BIS目前尚無法確認任何正在生產中的發(fā)動機使用了這項技術，但已經有大量研究指向潛在生產。

　　根據BIS公告，對氧化鎵、金剛石以及壓力增益燃燒技術的出口管制將自今年8月15日生效，對ECAD軟件的出口管制將在自今年8月15日起60天后生效。

　　楊杰告訴觀察者網，這四項技術被美國納入新的出口管制后，美國政府可能會設定新的許可證和要求。而BIS所提到的對美國國家安全造成嚴重影響，往往是對美國的軍事優(yōu)勢存在一定威脅。未來也不排除美國把更多自身掌握一定優(yōu)勢的新技術和新物項納入出口管制，從而加強對中國的打壓。

　　他分析指出，美國的出口管制是針對不同的物項和不同的最終用戶設置不同的管制要求。比如同一個半導體材料，如果向英國出口可能就不需要特別的許可證，但如果出口到中國，可能就需要特殊的許可證。甚至也有可能禁止對華出口，像一些被列入實體清單的中國企業(yè)，很可能就無法拿到許可證。

　　“對中國企業(yè)而言，如果未來美國在半導體領域加速與中國脫鉤，中國企業(yè)一方面可能要加速去美化，也就是說在半導體領域里，要盡量減少對美國的依賴。另一方面也要注意，供應商中有沒有受到美國制裁的企業(yè)，一旦與受到美國制裁的企業(yè)進行相關交易的話，可能自己也會受到美國制裁。”楊杰分析稱。

　　對于美國頻繁動用出口管制等手段打壓中企，中國外交部早就表明過態(tài)度：美國動用國家力量，泛化國家安全，不斷濫用出口管制等措施，對他國特定企業(yè)進行打壓遏制，這是對自由貿易規(guī)則的嚴重破壞，對全球產業(yè)鏈供應鏈安全的嚴重威脅，也是對包括美國在內的各國人民福祉利益的嚴重損害。

　　盡管在目前的大環(huán)境下，美國繼續(xù)出手打壓中國相關產業(yè)的概率很大，但也有業(yè)內人士向觀察者網指出，美國能夠使用的手段其實比較有限，不可能像美商務部長雷蒙多所說的那樣，輕易就能讓某家企業(yè)“關門”。

　　首先，全球半導體產業(yè)離不開中國半導體產業(yè)的配合。荷蘭光刻機巨頭阿斯麥就曾直言，如果美國迫使該公司停止向中國大陸銷售其主流光刻設備，全球半導體供應鏈將面臨中斷，美國企業(yè)也將成為受害者。當前，半導體制造業(yè)在東亞的聚集，不僅是美國產業(yè)的選擇，也是全球化資源配置最高效的辦法。

　　第二，美國政府試圖重建本土半導體制造業(yè)，不見得符合全部美國資本的立場，甚至也不符合美國勞動者的立場。特朗普執(zhí)政時期，試圖施壓讓制造業(yè)回流美國，但他們很難說服普通人前往汽車制造業(yè)、鋼鐵業(yè)以及技術含量更高的半導體制造業(yè)就業(yè)。一是因為半導體制造需要高強度工作，二是人才培訓不可能短期完成。

　　“美國的干擾會一直存在，但具體作用沒有那么夸張。”前述業(yè)內人士認為，半導體對整個國民經濟和工業(yè)發(fā)展起著至關重要的作用，中國半導體產業(yè)要做好長期艱苦奮斗的打算，不能急功近利。

　　“我認為半導體產業(yè)并不是人和人的競爭，甚至也不是企業(yè)之間的競爭，而是國家間的競爭。”他指出，國內政策對半導體產業(yè)的支持力度還遠遠沒有到頭，“比起當年對高鐵、光伏等行業(yè)的支持，政策方面還有很多牌可以出，還有很多工作可以做，中國半導體未來還是充滿希望的。”

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