按照科學(xué)家們的分析，硅基芯片工藝的物理極限在1nm，之后基本上就沒法前進(jìn)了。

而目前臺(tái)積電、三星已經(jīng)掌握了3nm，按照晶圓廠的發(fā)展計(jì)劃以及歷史經(jīng)驗(yàn)預(yù)計(jì)在2025年會(huì)實(shí)現(xiàn)2nm，再到2028年會(huì)達(dá)到1．4nm，再之后就是要進(jìn)入1nm以下了。

也就是說到了2028年左右，估計(jì)芯片工藝基本上就是極限，因?yàn)?．4nm后，已經(jīng)觸碰物理極限，難難難……

于是很多人表示，既然芯片工藝已經(jīng)止步了，那意味著我們能夠很快追上臺(tái)積電等廠商了。因?yàn)檫@就相當(dāng)于一場賽跑，前面的跑到?jīng)]路了，后面的雖然落后前面的較遠(yuǎn)，但終究會(huì)追上的。

那么問題來了，一旦6年后，芯片工藝就真的只能停留在1．4nm，再也無法前進(jìn)了，我們能不能追上臺(tái)積電？

當(dāng)然，追肯定是能夠追上的，但需要的時(shí)間會(huì)非常長，可能需要10年、20年甚至更長時(shí)間。

目前10nm及以下的先進(jìn)工藝的設(shè)備等，對(duì)我們是禁售的，比如EUV光刻機(jī)等，我們要想實(shí)現(xiàn)10nm以下芯片的突破，必須全產(chǎn)業(yè)鏈都發(fā)力。

就算產(chǎn)業(yè)鏈很給力，你需要的都有，那么要實(shí)現(xiàn)1．4nm這樣的工藝，按照臺(tái)積電的發(fā)展路徑，從14nm到1．4nm也要10多年啊，這個(gè)時(shí)間很難再縮短了

另外，就算10年實(shí)現(xiàn)了1．4nm工藝，較臺(tái)積電也至少落后了5年，那么臺(tái)積電的良率、成本、生產(chǎn)效率等，也會(huì)遠(yuǎn)高于我們，畢竟他已經(jīng)有了5年以上的經(jīng)驗(yàn)，肯定比一個(gè)剛搞定的菜鳥強(qiáng)多了。

另外為了給摩爾定律結(jié)合，業(yè)界還在探索小芯片等技術(shù)，這些技術(shù)再用1．4nm這樣的先進(jìn)工藝來實(shí)現(xiàn)，可能也會(huì)產(chǎn)生化學(xué)作用，產(chǎn)生新一輪的工藝革命。

此外，目前業(yè)界在探索用其它材料來替代硅基芯片，比如石墨烯、碳化硅、碳基等，10年內(nèi)說不定就會(huì)有新的成果出現(xiàn)，臺(tái)積電等一旦硅基芯片工藝到極限，會(huì)有更多的時(shí)間、資源、人才來探索這些新技術(shù)。

所以希望臺(tái)積電、三星們被硅基芯片的物理極限擋住腳步，然后我們就追上，這種想法是不太實(shí)際的，還是得靠自己一步一步往前走追上來，而不是希望別人停下來等我們，你覺得呢？

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