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Transphorm在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室

2022-12-06
來源:21ic
關鍵詞: Transphorm GaN 晶體管

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道,TransphormInc已經(jīng)在深圳設立GaN場效應晶體管實驗室,并且已經(jīng)全面投入運營,并為中國的客戶提供產(chǎn)品及服務。

TransphormInc是美國的半導體公司,主要業(yè)務是生產(chǎn)用于開關模式電源的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),其總部位于加利福尼亞州戈利塔,實加州大學圣巴巴拉分校(UCSB)的分支機構。

Transphorm設計生產(chǎn)的的GaN器件產(chǎn)品組合涵蓋了從45W~10kW+的功率范圍,因此該公司從適配器和計算到廣泛的工業(yè)和汽車大部分企業(yè)提供產(chǎn)品。

根據(jù)業(yè)內(nèi)的數(shù)據(jù),預計功率GaN市場到2027年將達到20億美元,對我們的GaN產(chǎn)品和資源的需求同步增長。

創(chuàng)始人兼總裁Primit·Parikh認為亞洲尤其是中國可以使Transphorm能夠從整個功率范圍內(nèi)采用GaN,包括關鍵的專利解決方案,比如圖騰柱PFC和各種其他功率拓撲。



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